CHINA GaAs Epi Wafer

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  JDCD10-001-003 2 polegadas GaAs ((100) Substratos dopados por Zn

  Nome do produto:Wafer GaAs-Si

  Orientação:(100) 15°±0.5° fora de Toward<111>A

  DE Orientação:EJ[0-1-1]±0,5°

  contacto
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  JDCD10-001-002 Substratos dopados por GaAs (100) Si de 2 polegadas

  Nome do produto:Wafer GaAs-Si

  Método do crescimento:VGF

  Tipo de Conduta:S-C-N

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  JDCD10-001-001 GaAs de 2 polegadas (100) Substratos não dopados

  Nome do produto:Wafer GaAs-Si

  Método do crescimento:VGF

  Tipo de Conduta:S-C-N

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