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Detalhes do produto:
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| Nome do produto: | Wafer GaAs-Si | Método do crescimento: | VGF |
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| Tipo de Conduta: | S-C-N | dopante: | GaAs-Si |
| Ângulo de Orientação: | 0° | DE Orientação: | EJ[0-1-1]±0,5° |
| DE Comprimento (mm): | 17±1 | Orientação IF: | EJ[0-11]±0,5° |
| Destacar: | Substratos de GaAs (100) não dopados,2 polegadas de GaAs (100) Substratos,GaAs de 2 polegadas (100) Substratos não dopados |
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GaAs de 2 polegadas (100) Substratos não dopados
Visão geral
O arseneto de gálio de um Wafer de GaAs tem o atributo de gerar luz laser a partir da eletricidade de maneira direta.Existem dois tipos de GaAs Wafer;policristalino e monocristal.Esses wafers são utilizados na produção de microeletrônicos e optoeletrônicos para fazer LED, circuitos de micro-ondas e LD.Também é implantado em painéis solares.
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Wafer GaAs-Si |
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Método de Crescimento |
VGF |
| Tipo de Conduta | SCN |
| dopante | GaAs-Si |
| Orientação | (100) 15°±0,5° Desligado em direção <111>A |
| Ângulo de Orientação | 0° |
| DE Orientação | EJ[0-1-1]±0,5° |
| DE Comprimento (mm) | 17±1 |
| Orientação IF | EJ[0-11]±0,5° |
| SE Comprimento (mm) | 7±1 |
| Diâmetro (mm) | 50,8±0,2 |
| CC(/cc) | 0,4E18~1E18 |
| Resistividade (ohm.cm) | N / D |
| Mobilidade(cm2/vs) | ≥1000 |
| DEP (/cm2) | ≤5000 |
| Espessura (um) | 350±20 |
| TTV(um) | <10 |
| TTR(um) | <10 |
| arco (um) | <15 |
| Warp(um) | <15 |
| Superfície | Lado 1: Polido Lado 2: Gravado |
| Embalagem | Cassete ou single |
Sobre nós
Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.
Perguntas frequentes
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