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cristal 4" do carboneto de silicone de 100.0mm categoria Politype 4H de P

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cristal 4" do carboneto de silicone de 100.0mm categoria Politype 4H de P

cristal 4" do carboneto de silicone de 100.0mm categoria Politype 4H de P
cristal 4" do carboneto de silicone de 100.0mm categoria Politype 4H de P

Imagem Grande :  cristal 4" do carboneto de silicone de 100.0mm categoria Politype 4H de P

Detalhes do produto:
Número do modelo: JDZJ01-001-001
Condições de Pagamento e Envio:
Detalhes da embalagem: Embalado em uma sala limpa em um único recipiente de sementes
Tempo de entrega: 3-4 dias da semana

cristal 4" do carboneto de silicone de 100.0mm categoria Politype 4H de P

descrição
politipo: 4h Diâmetro: 100,0mm±0,5mm
Tipo do portador: N-TYPE Orientação: 4,0°±0,2°
Orientação lisa preliminar: {10-10} ±5.0° Orientação lisa secundária: Si-cara: 90°cw.from flat±5° preliminar
Destacar:

Categoria de cristal do carboneto de silicone P

,

único carboneto de silicone de cristal

,

Carboneto de silicone 4H de cristal

100.0mm±0.5mm semeiam sic o cristal 4" a categoria 4.0°±0.2° Politype 4H de P

Semeie sic o cristal 4" PGrade

Sic pode suportar um inclinação da tensão (ou o campo elétrico) sobre oito vezes maior do que do que o si ou o GaAs sem submeter-se à divisão de avalancha. Este campo elétrico da divisão alta permite a fabricação de dispositivos muito de alta tensão, de alta potência tais como diodos, de transitors do poder, de tiristores e de proteções contra sobrecarga do poder, assim como de dispositivos da micro-ondas do poder superior. Adicionalmente, permite que os dispositivos sejam colocados muito perto junto, fornecendo a densidade de embalagem alta do dispositivo para circuitos integrados.

sic especificações do lingote 6inch
Categoria Categoria da produção Categoria do manequim
Politype 4H
Diâmetro 100.0mm±0.5mm
Tipo do portador N-tipo
Resistividade 0.015~0.028ohm.cm
Orientação 4.0°±0.2°
Orientação lisa preliminar {10-10} ±5.0°
Comprimento liso preliminar 32.5mm±2.0mm
Orientação lisa secundária Si-cara: 90°cw.from flat±5° preliminar
Comprimento liso secundário 18.0mm±2.0mm
Quebras da borda pela luz da alta intensidade ≤1mm no radial ≤3mm no radial
Encantar placas pela luz da alta intensidade Size<1mm, area<1% cumulativo Area<5% cumulativo
Áreas de Polytype pela luz da alta intensidade Nenhum ≤5%area
Densidade de MicroPipe É testes destrutivos. Se algum desacordo, as amostras para a contraprova do fornecedor for fornecido pelo cliente.

É testes destrutivos. Se algum desacordo, as amostras para a contraprova do fornecedor for fornecido pelo cliente.

Microplaqueta da borda ≤1 com comprimento máximo e largura 1 milímetro ≤3 com comprimento máximo e largura 3 milímetros

Sobre nós

Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.

FAQ

Q: São você empresa comercial ou o fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?
Geralmente é 3-5 dias se os bens estão no estoque.
ou é 7-10 dias se os bens não estão no estoque, ele é de acordo com a quantidade.
Q: Você fornece amostras? são livre ou extra?
Sim, nós poderíamos oferecer a amostra para a carga livre mas não pagamos o custo do frete.
Q: Que é seus termos de pagamento?
Pagamento <> >=5000USD do pagamento, 80% T/T adiantado, equilíbrio antes da expedição.

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Xiwen Bai (Ciel)

Telefone: +8613372109561

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