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silicon carbide crystal p grade fabricação online

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Comprar cristal 4" do carboneto de silicone de 100.0mm categoria Politype 4H de P on-line fabricante

cristal 4" do carboneto de silicone de 100.0mm categoria Politype 4H de P
Contato

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 4.0°±0.2° Politype 4H SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than Si or GaAs without ... Leia mais
2022-10-09 10:12:00
Comprar 0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm cristal de carboneto de silício tipo N on-line fabricante

0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm cristal de carboneto de silício tipo N
Contato

0.015~0.028ohm.Cm SiC Seed Crystal 4" P Grade N-Type Orientation 4.0°±0.2° SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC CRYSTAL is an ultra-high purity silicon carbide grain or powder, specially manufactured to achieve ... Leia mais
2022-09-27 17:01:16
Comprar Resistividade de cristal de carboneto de silício de grau P de 4" 0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm on-line fabricante

Resistividade de cristal de carboneto de silício de grau P de 4" 0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm
Contato

4" P Grade SiC Seed Crystal Resistivity 0.015~0.028ohm.Cm 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC is an excellent thermal conductor. Heat will flow more readily through SiC than other semiconductor ... Leia mais
2022-09-27 17:35:24
Comprar cristal 4" do carboneto de silicone de 100.0mm categoria 18.0mm de P on-line fabricante

cristal 4" do carboneto de silicone de 100.0mm categoria 18.0mm de P
Contato

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 0.015~0.028ohm.cm 18.0mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade Electronic devices formed in SiC can operate at extremely high temperatures without suffering from intrinsic ... Leia mais
2022-09-27 17:01:26
Comprar Cristal liso preliminar 4" do carboneto de silicone do comprimento 32.5mm categoria 100.0mm de P on-line fabricante

Cristal liso preliminar 4" do carboneto de silicone do comprimento 32.5mm categoria 100.0mm de P
Contato

Primary Flat Lengh 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 100.0mm±0.5mm 0.015~0.028ohm.cm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than ... Leia mais
2022-09-27 17:01:05
Comprar 4H Politype único Crystal Silicon Carbide 4" cara do si da categoria de P on-line fabricante

4H Politype único Crystal Silicon Carbide 4" cara do si da categoria de P
Contato

JDZJ01-001-001 SiC Seed Crystal 4" P Grade Si-Face 90°Cw.From Primary Flat±5° SiC Seed Crystal 4" PGrade The physical and electronic properties of SiC make it the foremost semiconductor material for short ... Leia mais
2022-09-27 17:01:35
Comprar Cristal de semente do carboneto de silicone JDZJ01-001-007 on-line fabricante

Cristal de semente do carboneto de silicone JDZJ01-001-007
Contato

JDZJ01-001-007 Silicon Carbide Seed Crystal Electronic devices formed in SiC can operate at extremely high temperatures without suffering from intrinsic conduction effects becauseof the wide energy bandgap. ... Leia mais
2025-04-04 22:42:43
Comprar Tipo N 6 polegadas 4H Substrato de carboneto de silício Comprimento plano primário 47,5 mm on-line fabricante

Tipo N 6 polegadas 4H Substrato de carboneto de silício Comprimento plano primário 47,5 mm
Contato

6inch 4H-SiC substrate N-Type D Grade 350.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity 0.014Ω•cm—0.028Ω•cm for power and microwave devices Overview Silicon Carbide (SiC) is a covalent network solid. If we look at its ... Leia mais
2022-10-24 10:22:34
Comprar Substrato de carboneto de silício de 260 μm nível P para dispositivos de energia e dispositivos de micro-ondas on-line fabricante

Substrato de carboneto de silício de 260 μm nível P para dispositivos de energia e dispositivos de micro-ondas
Contato

4H-N/SI260μm±25μm 2-Inch SiC Substrate P-Level For Power Devices And Microwave Devices JDCD03-001-001 2-inch SiC substrate P-level 4H-N/SI260μm±25μm for power devices and microwave devices Overview We ... Leia mais
2024-10-29 11:49:58
Comprar 6 polegadas 4H SiC Substrato N Tipo P SBD Grau 350μm on-line fabricante

6 polegadas 4H SiC Substrato N Tipo P SBD Grau 350μm
Contato

6inch 4H-SiC substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview SiC boules (crystals) are grown, machined into ingots, and then sliced ... Leia mais
2022-10-24 10:23:04
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GaN Epitaxial Wafer

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Bolacha sic Epitaxial

Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um

Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um

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