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silicon carbide crystal 4h fabricação online

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Comprar cristal 4" do carboneto de silicone de 100.0mm categoria Politype 4H de P on-line fabricante

cristal 4" do carboneto de silicone de 100.0mm categoria Politype 4H de P
Contato

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 4.0°±0.2° Politype 4H SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than Si or GaAs without ... Leia mais
2022-10-09 10:12:00
Comprar Resistividade de cristal de carboneto de silício de grau P de 4" 0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm on-line fabricante

Resistividade de cristal de carboneto de silício de grau P de 4" 0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm
Contato

4" P Grade SiC Seed Crystal Resistivity 0.015~0.028ohm.Cm 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC is an excellent thermal conductor. Heat will flow more readily through SiC than other semiconductor ... Leia mais
2022-09-27 17:35:24
Comprar cristal 4" do carboneto de silicone de 100.0mm categoria 18.0mm de P on-line fabricante

cristal 4" do carboneto de silicone de 100.0mm categoria 18.0mm de P
Contato

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 0.015~0.028ohm.cm 18.0mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade Electronic devices formed in SiC can operate at extremely high temperatures without suffering from intrinsic ... Leia mais
2022-09-27 17:01:26
Comprar Cristal liso preliminar 4" do carboneto de silicone do comprimento 32.5mm categoria 100.0mm de P on-line fabricante

Cristal liso preliminar 4" do carboneto de silicone do comprimento 32.5mm categoria 100.0mm de P
Contato

Primary Flat Lengh 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 100.0mm±0.5mm 0.015~0.028ohm.cm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than ... Leia mais
2022-09-27 17:01:05
Comprar 0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm cristal de carboneto de silício tipo N on-line fabricante

0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm cristal de carboneto de silício tipo N
Contato

0.015~0.028ohm.Cm SiC Seed Crystal 4" P Grade N-Type Orientation 4.0°±0.2° SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC CRYSTAL is an ultra-high purity silicon carbide grain or powder, specially manufactured to achieve ... Leia mais
2022-09-27 17:01:16
Comprar 6 polegadas 4H SiC Substrato N Tipo P SBD Grau 350μm on-line fabricante

6 polegadas 4H SiC Substrato N Tipo P SBD Grau 350μm
Contato

6inch 4H-SiC substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview SiC boules (crystals) are grown, machined into ingots, and then sliced ... Leia mais
2022-10-24 10:23:04
Comprar Tipo N 6 polegadas 4H Substrato de carboneto de silício Comprimento plano primário 47,5 mm on-line fabricante

Tipo N 6 polegadas 4H Substrato de carboneto de silício Comprimento plano primário 47,5 mm
Contato

6inch 4H-SiC substrate N-Type D Grade 350.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity 0.014Ω•cm—0.028Ω•cm for power and microwave devices Overview Silicon Carbide (SiC) is a covalent network solid. If we look at its ... Leia mais
2022-10-24 10:22:34
Comprar 4H Politype único Crystal Silicon Carbide 4" cara do si da categoria de P on-line fabricante

4H Politype único Crystal Silicon Carbide 4" cara do si da categoria de P
Contato

JDZJ01-001-001 SiC Seed Crystal 4" P Grade Si-Face 90°Cw.From Primary Flat±5° SiC Seed Crystal 4" PGrade The physical and electronic properties of SiC make it the foremost semiconductor material for short ... Leia mais
2022-09-27 17:01:35
Comprar Substrato de carboneto de silício de 260 μm nível P para dispositivos de energia e dispositivos de micro-ondas on-line fabricante

Substrato de carboneto de silício de 260 μm nível P para dispositivos de energia e dispositivos de micro-ondas
Contato

4H-N/SI260μm±25μm 2-Inch SiC Substrate P-Level For Power Devices And Microwave Devices JDCD03-001-001 2-inch SiC substrate P-level 4H-N/SI260μm±25μm for power devices and microwave devices Overview We ... Leia mais
2024-10-29 11:49:58
Comprar Tipo 6inch 4H do SI do nível P que isola sic semi a carcaça 150mm on-line fabricante

Tipo 6inch 4H do SI do nível P que isola sic semi a carcaça 150mm
Contato

P-Level SI-Type 6inch 4H-SiC Semi insulating substrate 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity≥1E9Ω·cm 6inch 4H-SiC substrate P-level SI-Type 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity≥1E9Ω·cm for power and microwave ... Leia mais
2022-10-24 10:21:46
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GaN Epitaxial Wafer

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

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Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um

Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um

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