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Wafer de Nitreto de Alumínio Monocristal AlN de 1 polegada 400μm Grau S/P/R

Certificado
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificações
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Wafer de Nitreto de Alumínio Monocristal AlN de 1 polegada 400μm Grau S/P/R

Wafer de Nitreto de Alumínio Monocristal AlN de 1 polegada 400μm Grau S/P/R
Wafer de Nitreto de Alumínio Monocristal AlN de 1 polegada 400μm Grau S/P/R

Imagem Grande :  Wafer de Nitreto de Alumínio Monocristal AlN de 1 polegada 400μm Grau S/P/R

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Suzhou China
Marca: GaNova
Certificação: UKAS/ISO9001:2015
Número do modelo: JDCD02-001-001
Condições de Pagamento e Envio:
Detalhes da embalagem: Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 25 peças ou recipientes
Termos de pagamento: T/T

Wafer de Nitreto de Alumínio Monocristal AlN de 1 polegada 400μm Grau S/P/R

descrição
Nome do produto: Bolacha do nitreto de alumínio Diâmetro: 25,4±0,5mm
Espessura: 400±50μm Crystal Form: 2H
Polytype: {0001}±0,5° TUA: ≥90%
Destacar:

Wafer de Nitreto de Alumínio de 1 polegada

,

AlN Monocristal 400um

,

Wafer de Nitreto de Alumínio Grau S

JDCD02-001-001 1 polegada AlN monocristal 400±50μm grau S/P/R

 

O substrato AlN é um dos substratos cerâmicos mais populares que possui excelente resistência ao calor, alta resistência mecânica, resistência à abrasão e pequena perda dielétrica.A superfície do substrato AlN é bastante lisa e de baixa porosidade.Nitreto de alumínio tem maior condutividade térmica, em comparação com o substrato de alumina, é cerca de 7 a 8 vezes maior.O substrato AlN é um excelente material de embalagem eletrônica.

 

Substrato de cristal único de nitreto de alumínio de 1 polegada
Especificações de Cristal Valor do parâmetro
Diâmetro (mm) 25,4±0,5
Espessura (μm) 400±50
Forma de Cristal 2H
Politipo {0001}±0,5°
Polimento de superfície Superfície de alumínio: polimento químico (duplo polimento pode ser personalizado)
Rugosidade

Alface:≤0,5 nm

N face (traseira):≤1,2μm

aparência Borda circular de posicionamento da correia
Grau de qualidade Classe S (Super) Nota P (Produção) Nota R (Pesquisa)
HRXRD Largura de meia altura @{0002}(arcsec) ≤150 ≤300 ≤500
HRXRD Largura de meia altura @{10-12}(arcsec) ≤100 ≤200 ≤400
coeficiente de absorção @ 265nm (cm-1) ≤50 ≤70 ≤100
Exclusão de borda (mm) 1 1 1
Recuos / / /
Salgadinhos / / ≤3 Acumulado ≤1,0 mm
TUA ≥90%
Orientação da borda de posicionamento principal {10-10}±5,0°
Orientação da superfície de localização secundária

Face Al:Gire no sentido horário na direção da borda de posicionamento principal 90°±5°

Face N:Gire no sentido anti-horário na direção da borda de posicionamento principal 90°±5°

TTV(μm) ≤30
Warp (μm) ≤30
Arco (μm) ≤30
Rachaduras Não, olho nu, luz forte
Contaminação Não, olho nu, radiação
codificação a laser Face N, paralela à borda de localização principal
Pacote caixa de bolacha monolítica

 

 

Sobre nós

Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.

 

 

Perguntas frequentes

Q: você está negociando empresa ou fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é o seu tempo de entrega?
Geralmente leva de 3 a 5 dias se as mercadorias estiverem em estoque.
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Sim, podemos oferecer a amostra gratuitamente, mas não pagamos o custo do frete.
Q: Quais são as suas condições de pagamento?
Pagamento <=5000USD, 100% adiantado.
Pagadores >=5000USD, 80% T/T adiantado, saldo antes do envio.

 

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Xiwen Bai (Ciel)

Telefone: +8613372109561

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