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Wafer de Nitreto de Alumínio de 2 Polegadas de Espessura AIN Sobre Safira Wafer Al Face

Certificado
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificações
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Wafer de Nitreto de Alumínio de 2 Polegadas de Espessura AIN Sobre Safira Wafer Al Face

Wafer de Nitreto de Alumínio de 2 Polegadas de Espessura AIN Sobre Safira Wafer Al Face
Wafer de Nitreto de Alumínio de 2 Polegadas de Espessura AIN Sobre Safira Wafer Al Face

Imagem Grande :  Wafer de Nitreto de Alumínio de 2 Polegadas de Espessura AIN Sobre Safira Wafer Al Face

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Suzhou China
Marca: GaNova
Certificação: UKAS/ISO9001:2015
Número do modelo: JDWY01-001-001
Condições de Pagamento e Envio:
Detalhes da embalagem: Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 25 peças ou recipientes
Termos de pagamento: T/T

Wafer de Nitreto de Alumínio de 2 Polegadas de Espessura AIN Sobre Safira Wafer Al Face

descrição
Nome do produto: Bolacha do nitreto de alumínio Dimensões: φ50.8mm±0.1mm, DE (1-100), Al Face, encontrando a borda 16.0± 1.0mm
Carcaça: Safira (laterais simples ou duplos lustrados) Tipo da condução: Semi-isolamento
Zona de exclusão de borda: <2mm Aspereza de superfície: Ra
Destacar:

Wafer de nitreto de alumínio de filme de 2 polegadas

,

AIN em wafer de safira Al Face

,

wafer de nitreto de alumínio de safira

Filme grosso de 2 polegadas (1,2) μm AIN em bolacha de safira φ50,8 mm ± 0,1 mm, OF (1-100), face Al, borda de localização 16,0 ± 1,0 mm

Filme de 2 polegadas de espessura (1,2) μm AIN On Sapphire Wafer SSP XRD FWHM Of(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec UV Desinfecção LED Chip

 

O material é estável a altas temperaturas sob uma atmosfera inerte.Possui uma camada protetora de óxido que protege o material em até 1370degC.Também é estável em atmosferas de hidrogênio até 980degC.Pode ser dissolvido ou hidrolisado por álcalis fortes, mas é resistente à maioria dos sais fundidos e à criolita.É por isso que é tão útil em microeletrônica.

 

Item AlN-TCU-C50
Dimensões φ50,8 mm±0,1 mm, OF(1-100), Face Al, Borda de localização 16,0± 1,0 mm
Substrato Safira (lado simples ou duplo polido)
Grossura 1~5μm
Orientação

Plano C (0001)±1o

Tipo de Condução Semi-isolante
Qualidade cristalina Grossura XRD FWHM de (002) XRD FWHM de (102)
  [1,2)μm ≤80 segundos de arco ≤650 segundos de arco
  [2,3)μm ≤100 segundos de arco ≤550 segundos de arco
  [3,4)μm ≤120 segundos de arco ≤450 segundos de arco
  [4,5)μm ≤160 segundos de arco ≤400 segundos de arco
Zona de exclusão de borda

 

<2mm

Rigidez da superfície Ra<1,5nm(10*10μm)
Pacote Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 25 peças ou recipientes de wafer único.

 

 

Sobre nós

Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.

 

 

Perguntas frequentes

Q: você está negociando empresa ou fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é o seu tempo de entrega?
Geralmente leva de 3 a 5 dias se as mercadorias estiverem em estoque.
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Sim, podemos oferecer a amostra gratuitamente, mas não pagamos o custo do frete.
Q: Quais são as suas condições de pagamento?
Pagamento <=5000USD, 100% adiantado.
Pagadores >=5000USD, 80% T/T adiantado, saldo antes do envio.

 

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Xiwen Bai (Ciel)

Telefone: +8613372109561

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