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GaN Epitaxial Wafer

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Única carcaça de cristal de GaN

Wafer Epitaxial GaN Não Dopado

Cara GaN Substrate de C

CHINA GaN Epitaxial Wafer

Wafer epitaxial de GaN essencial para a produção de chips de alta tensão e alta frequência

Tipo::Safira lisa

polonês:Único lado lustrado (SSP)/lado dobro lustrado (DSP)

Dimensão:50.8±0,2 mm (2 polegadas)/100±0,2 mm ((4 polegadas)/150 +0,2 mm (6 polegadas)
625um a 675um 4 polegadas LED azul nitruro de gálio GaN Wafer epitaxial em safira SSP safira plana

Nome do produto:azul da GaN-em-safira 4inch/bolacha verde do diodo emissor de luz

Tipo:Safira lisa

Espessura:650 ± 25μm
GaN 2 polegadas Nitreto de gálio Substrato de cristal único

Quantidade de ordem mínima:1

Detalhes da embalagem:Embalagem interna: caixa de embalagem específica da bolacha, embalagem exterior: embalagem de caixa

Termos de pagamento:T/T
Single Crystal Gan Epi Wafer Substrato de Nitreto de Gállio 4 polegadas

Quantidade de ordem mínima:1

Detalhes da embalagem:Embalagem interna: caixa de embalagem específica da bolacha, embalagem exterior: embalagem de caixa

Termos de pagamento:T/T
Nitreto de gálio de substrato GaN independente dopado de 4 polegadas

Quantidade de ordem mínima:1

Detalhes da embalagem:Embalagem interna: caixa de embalagem específica da bolacha, embalagem exterior: embalagem de caixa

Termos de pagamento:T/T
GaN de LED verde de 2 polegadas na dimensão de bolacha de silício 520±10nm

Nome do produto:Verde-diodo emissor de luz GaN na bolacha de silicone

Tamanho:2 polegadas 4 polegadas

Estrutura da carcaça:111) carcaças de 20nmContact layer/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si (
5*10mm2 SP-cara (20-21)/(20-2-1) Un-lubrificou o N-tipo resistividade autônoma de GaN Single Crystal Substrate < 0,05 Ω·cm

Dimensões:² de 5 x de 10mm

Espessura:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
a SP-cara 5*10mm2 (11-12) Un-lubrificou o N-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo < 0,1 Ω·dispositivo de poder do cm

Dimensões:² de 5 x de 10mm

Orientação:plano (de 11-22) fora do ângulo para o plano da M-linha central 0 ±0.5° (11-22) fora do ângulo para

TTV:≤ 10µm
5*10mm2 SP-Face (11-12) Não dopado tipo N independente GaN Substrato monocristal Resistividade

Dimensões:² de 5 x de 10mm

Espessura:350 ±25µm

Orientação:plano (de 11-22) fora do ângulo para o plano da M-linha central 0 ±0.5° (11-22) fora do ângulo para
a M-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o Si-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo > 10 o ⁶ Ω·Bolacha dos dispositivos RF do Cm

Dimensões:² de 5 x de 10mm

Espessura:350 ±25µm

Curva:- ≤ 10µm da CURVA do ≤ de 10µm
a SP-cara 5*10mm2 (10-11) Un-lubrificou o N-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo < 0,05 Ω·cm

Dimensões:² de 5 x de 10mm

Espessura:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
a SP-cara 5*10mm2 (10-11) Un-lubrificou o N-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo <0.1 Ω·dispositivo de poder do cm

Dimensões:² de 5 x de 10mm

Espessura:350 ±25µm

Orientação:(10- 11) plano fora do ângulo em direção ao eixo A 0 ±0,5° (10- 11) plano fora do ângulo em direção

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625um a 675um 4 polegadas LED azul nitruro de gálio GaN Wafer epitaxial em safira SSP safira plana

GaN 2 polegadas Nitreto de gálio Substrato de cristal único

Single Crystal Gan Epi Wafer Substrato de Nitreto de Gállio 4 polegadas

Nitreto de gálio de substrato GaN independente dopado de 4 polegadas

GaN de LED verde de 2 polegadas na dimensão de bolacha de silício 520±10nm

5*10mm2 SP-cara (20-21)/(20-2-1) Un-lubrificou o N-tipo resistividade autônoma de GaN Single Crystal Substrate < 0,05 Ω·cm

a SP-cara 5*10mm2 (11-12) Un-lubrificou o N-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo < 0,1 Ω·dispositivo de poder do cm

5*10mm2 SP-Face (11-12) Não dopado tipo N independente GaN Substrato monocristal Resistividade

a M-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o Si-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo > 10 o ⁶ Ω·Bolacha dos dispositivos RF do Cm

a SP-cara 5*10mm2 (10-11) Un-lubrificou o N-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo < 0,05 Ω·cm

a SP-cara 5*10mm2 (10-11) Un-lubrificou o N-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo <0.1 Ω·dispositivo de poder do cm

GaN Epitaxial Wafer

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Bolacha sic Epitaxial

Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um

Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um

Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara