Substratos de GaN Ga Rugosidade da superfície da face < 0,2 nm (polido) ou < 0,3 nm (polido e tratamento de superfície para epitaxia)

Name: Substratos de GaN Ga Rugosidade da superfície da face < 0,2 nm (polido) ou < 0,3 nm (polido e tratamento de superfície para epitaxia)
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDCD-01-001-001
Price: Negociável USD
Availability: InStock

Todos os Produtos

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Bolacha sic Epitaxial
(39)

GaAs Epi Wafer
(15)

Substratos de Diamante CVD
(15)

Sistema de recozimento térmico rápido
(2)

Testador de Sensor de Efeito Hall
(3)

Bolacha do nitreto de alumínio
(21)

Microplaqueta do diodo láser
(10)

Cristal do carboneto de silicone
(12)

Bolacha Ga2O3
(13)

bolacha de silicone
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Sapphire Substrates modelada
(10)

Suporte da bolacha do
(1)

Máquina de cortar bolacha
(5)

Os melhores produtos

Única carcaça de cristal de GaN

Wafer Epitaxial GaN Não Dopado

Cara GaN Substrate de C

Certificado

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificações

Estou Chat Online Agora

Substratos de GaN Ga Rugosidade da superfície da face < 0,2 nm (polido) ou < 0,3 nm (polido e tratamento de superfície para epitaxia)

Imagem Grande : Substratos de GaN Ga Rugosidade da superfície da face < 0,2 nm (polido) ou < 0,3 nm (polido e tratamento de superfície para epitaxia)

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Suzhou China
Marca:	GaNova
Certificação:	UKAS/ISO9001:2015
Número do modelo:	JDCD-01-001-001

Condições de Pagamento e Envio:

Detalhes da embalagem:	Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 6 peças ou recipientes d
Tempo de entrega:	3-4 dias da semana
Termos de pagamento:	T/T
Habilidade da fonte:	10000pcs/Month

Contato

Substratos de GaN Ga Rugosidade da superfície da face < 0,2 nm (polido) ou < 0,3 nm (polido e tratamento de superfície para epitaxia)

descrição

Nome do produto:	Única carcaça de cristal de GaN	Dimensões:	10 x 10,5 mm²
Espessura:	350 ±25µm	Orientação:	Plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo M 0,35 ±0,15°
TTV:	≤ 10µm	Densidade macro do defeito:	² 0cm⁻
Destacar:	Tratamento de superfície Substratos de GaN , Substratos de epitaxia GaN , Substratos de GaN polidos

10*10,5mm² Face C Substrato de cristal único de GaN não dopado tipo n Resistividade < 0,1 Ω·cm Dispositivo de alimentação/laser

Visão geral
Fornecemos substratos GaN de alta qualidade produzidos pelo método HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) originalmente projetado, utilizando mais de 10 anos de experiência no negócio de epi-wafer GaAsP.

10 x 10,5 mm2 Substratos de GaN independentes
Item	GaN-FS-CU-S10	GaN-FS-CN-S10	GaN-FS-C-SI-S10	Observações: Um ângulo de arco circular (R < 2 mm) é usado para distinguir as faces Ga e N.
Dimensões	10 x 10,5 mm²
Grossura	350 ±25 µm
Orientação	Plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo M 0,35 ±0,15°
Tipo de Condução	tipo N	tipo N	Semi-isolante
Resistividade (300K)	< 0,1 Ω·cm	< 0,05 Ω·cm	> 10⁶Ω·cm
TTV	≤ 10 µm
Arco	- 10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm
Ga Rugosidade da Superfície da Face	< 0,2 nm (polido) ou < 0,3 nm (polido e tratamento de superfície para epitaxia)


N Rugosidade da Superfície da Face	0,5 ~1,5 μm opção: 1~3 nm (solo fino);< 0,2 nm (polido)


Densidade de Deslocamento	De 1 x 10⁵para 3 x 10⁶cm^-2(calculado por CL)*
Densidade de Defeito Macro	0 cm^-2
Área Útil	> 90% (exclusão de borda)
Pacote	Embalado em um ambiente de sala limpa classe 100, em contêiner de 6 PCS, sob uma atmosfera de nitrogênio

*Padrões nacionais da China (GB/T32282-2015)

Substratos de GaN Ga Rugosidade da superfície da face < 0,2 nm (polido) ou < 0,3 nm (polido e tratamento de superfície para epitaxia) 1

Sobre nós

Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.

Perguntas frequentes

Q: você está negociando empresa ou fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é o seu tempo de entrega?
Geralmente leva de 3 a 5 dias se as mercadorias estiverem em estoque.
ou leva de 7 a 10 dias se as mercadorias não estiverem em estoque, é de acordo com a quantidade.
P: você fornece amostras?é gratuito ou extra?
Sim, podemos oferecer a amostra gratuitamente, mas não pagamos o custo do frete.
Q: Quais são as suas condições de pagamento?
Pagamento <=5000USD, 100% adiantado.
Pagadores >=5000USD, 80% T/T adiantado, saldo antes do envio.

etiqueta:

Pessoa de Contato: Xiwen Bai (Ciel)

Telefone: +8613372109561

Outros Produtos

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

Dimensões: ± 50,8 1 milímetro

Nome do produto: GaN Substrates autônomo

Espessura: 350 ±25µm

Orientação: Plano de C (0001) fora do ângulo para a M-linha central

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Dimensões: ± 50,8 1 milímetro

Espessura: 350 ±25µm

Curva: - ≤ 10µm da CURVA do ≤ de 10µm

Densidade macro do defeito: ² 0cm⁻

Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Dimensões: ± 50,8 1 milímetro

Espessura: 350 ±25µm

TTV: ≤ 10µm

Curva: μm do ≤ 20

Plano da bolacha de semicondutor 325um do nitreto do gálio 375um C

Nome do produto: Única carcaça de cristal de GaN

Dimensões: ± 50,8 1 milímetro

Espessura: 350 ±25µm

Orientação: Plano de C (0001) fora do ângulo para a M-linha central

375 um GaN Epitaxial Wafer Livre U-GaN SI-GaN Substratos

Nome do produto: carcaças autônomas de 2-polegada U-GaN/SI-GaN

Dimensões: 50,8 ± 1mm

Espessura: 350 ± 25μm

Plano da orientação: ± 0.5˚ (de 1-100), 16 ± 1mm

Substratos de GaN Ga Rugosidade da superfície da face < 0,2 nm (polido) ou < 0,3 nm (polido e tratamento de superfície para epitaxia)

GaN Epitaxial Wafer

Bolacha sic Epitaxial

GaAs Epi Wafer

Substratos de Diamante CVD

Sistema de recozimento térmico rápido

Testador de Sensor de Efeito Hall

Bolacha do nitreto de alumínio

Microplaqueta do diodo láser

Cristal do carboneto de silicone

Bolacha Ga2O3

bolacha de silicone

Sapphire Wafer

Sapphire Substrates modelada

Suporte da bolacha do

Máquina de cortar bolacha

Única carcaça de cristal de GaN

Wafer Epitaxial GaN Não Dopado

Cara GaN Substrate de C

Substratos de GaN Ga Rugosidade da superfície da face < 0,2 nm (polido) ou < 0,3 nm (polido e tratamento de superfície para epitaxia)

Substratos de GaN Ga Rugosidade da superfície da face < 0,2 nm (polido) ou < 0,3 nm (polido e tratamento de superfície para epitaxia)

Tratamento de superfície Substratos de GaN

Substratos de epitaxia GaN

Substratos de GaN polidos

Bolacha de semicondutor do nitreto do gálio,

posição livre GaN Substrates,

diodo emissor de luz azul GaN Epitaxial Wafer

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Plano da bolacha de semicondutor 325um do nitreto do gálio 375um C

375 um GaN Epitaxial Wafer Livre U-GaN SI-GaN Substratos

GaN Epitaxial Wafer

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Bolacha sic Epitaxial

Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um

Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um

Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara