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Casa ProdutosGaN Epitaxial Wafer

µm do ≤ 10 do µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350

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Certificado
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificações
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µm do ≤ 10 do µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350

µm do ≤ 10 do µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350
µm do ≤ 10 do µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350 µm do ≤ 10 do µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350 µm do ≤ 10 do µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350 µm do ≤ 10 do µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350

Imagem Grande :  µm do ≤ 10 do µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Suzhou China
Marca: GaNova
Certificação: UKAS/ISO9001:2015
Número do modelo: JDCD01-001-002
Condições de Pagamento e Envio:
Detalhes da embalagem: Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 6 peças ou recipientes d
Tempo de entrega: 3-4 dias da semana
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 10000pcs/Month
Contato

µm do ≤ 10 do µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350

descrição
Nome do produto: GaN Epitaxial Wafer Dimensões: 10*10,5 mm²
Espessura: 350 ±25µm TTV: ≤ 10µm
Curva: - ≤ 10µm da CURVA do ≤ de 10µm Densidade macro do defeito: ² 0cm⁻
Destacar:

10*10

a C-cara 10*10.5mm2 Si-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0="">


Vista geral
A carcaça do nitreto do gálio (GaN) é uma carcaça de alta qualidade do único-cristal. É feita com método de HVPE e tecnologia de processamento originais da bolacha, que foi desenvolvida originalmente por muitos anos. As características são uniformidade cristalina, boa alta, e qualidade de superfície superior.

10 x 10,5 mm2 GaN Substrates autônomo
Artigo GaN-FS-C-U-S10 GaN-FS-C-N-S10 GaN-FS-C-SI-S10

µm do ≤ 10 do µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350 0

Observações:
Um ângulo circular do arco (R < 2="" mm="">

Dimensões 10 x 10,5 milímetros2
Espessura µm 350 ±25
Orientação Plano de C (0001) fora do ângulo para a M-linha central 0,35 ±0.15°
Tipo da condução N-tipo N-tipo Semi-isolamento
Resistividade (300K) < 0=""> < 0=""> > 106 Ω·cm
TTV µm do ≤ 10
Curva - 10 µm do ≤ 10 da CURVA do ≤ do µm
Aspereza de superfície da cara de GA < 0=""> ou < 0="">
Aspereza de superfície da cara de N 0,5 μm ~1,5
opção: 1~3 nanômetro (terra fina); < 0="">
Densidade de deslocação De 1 x 105 a 3 x 106 cm2 (calculados pelo CL) *
Densidade macro do defeito 0 cm2
Área útil > 90% (exclusão da borda)
Pacote Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, no recipiente de 6 PCS, sob uma atmosfera do nitrogênio

padrões do *National de China (GB/T32282-2015)

Sobre nós

Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.

FAQ

Q: São você empresa comercial ou o fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?
Geralmente é 3-5 dias se os bens estão no estoque.
ou é 7-10 dias se os bens não estão no estoque, ele é de acordo com a quantidade.
Q: Você fornece amostras? são livre ou extra?
Sim, nós poderíamos oferecer a amostra para a carga livre mas não pagamos o custo do frete.
Q: Que é seus termos de pagamento?
Pagamento <> >=5000USD do pagamento, 80% T/T adiantado, equilíbrio antes da expedição.

etiqueta:

Bolacha de semicondutor do nitreto do gálio,

posição livre GaN Substrates,

diodo emissor de luz azul GaN Epitaxial Wafer

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Xiwen Bai (Ciel)

Telefone: +8613372109561

Envie sua pergunta diretamente para nós (0 / 3000)

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GaN Epitaxial Wafer

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

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