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GaN Epitaxial Wafer

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Única carcaça de cristal de GaN

Wafer Epitaxial GaN Não Dopado

Cara GaN Substrate de C

CHINA GaN Epitaxial Wafer

Safira plana LED azul de 4 polegadas GaN bolacha epitaxial em safira SSP

Nome do produto:azul da GaN-em-safira 4inch/bolacha verde do diodo emissor de luz

Espessura:650 ± 25μm

Orientação:Plano de C (0001) fora do ângulo para o ± 0.1° da M-linha central 0,2
Independente N GaN Substratos N Face Superfície Rugosa 0,5um a 1,5um

Nome do produto:carcaças autônomas de N-GaN de 2-polegada

Dimensões:50,0 ±0.3mm

Artigo:GaN-FS-C-N-C50-SSP
100 mm 4 polegadas LED azul GaN Wafer epitaxial em safira SSP Espessura 5um - 6um

Tipo:Safira lisa

Nome do produto:azul da GaN-em-safira 4inch/bolacha verde do diodo emissor de luz

Polonês:Único lado lustrado (SSP)/lado dobro lustrado (DSP)
12.5mm 2inch N autônomo GaN Epi Wafer Si Doped

Nome do produto:carcaças autônomas de N-GaN de 2-polegada

Dimensões:50,0 ±0.3mm

Espessura:400 ± 30μm
LED azul de 4 polegadas GaN Epitaxial Wafer C Plane Flat Sapphire

Tipo:Safira lisa

Nome do produto:azul da GaN-em-safira 4inch/bolacha verde do diodo emissor de luz

Polonês:Único lado lustrado (SSP)/lado dobro lustrado (DSP)
Substrato monocristal de GaN de gálio, tipo N, de face livre, não dopado

Nome do produto:Única carcaça de cristal de GaN

Dimensões:² de 5 x de 10mm

Espessura:350 ±25µm
5*10mm2 SP-Face não dopado de tipo N GaN monokristalino 20-21 / 20-2-1 10mm2 Resistividade 0,05 Ω·cm

Dimensões:² de 5 x de 10mm

Espessura:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
350 ± 25 μm Espessura Substrato monocristalino GaN independente não dopado de tipo N, com TTV ≤ 10 μm e Resistividade 0,1 Ω·cm

Dimensões:² de 5 x de 10mm

Espessura:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
SP-Face 11-12 Não dopado Tipo N GaN de stand-alone Substrato de cristal único Resistividade 0,05 Ω·cm Densidade de defeito macro 0cm−2

Dimensões:² de 5 x de 10mm

Espessura:350 ±25µm

Orientação:plano (de 11-22) fora do ângulo para o plano da M-linha central 0 ±0.5° (11-22) fora do ângulo para
Dispositivo de potência 5x10 mm2 Substrato de cristal único GaN de tipo N não dopado, com resistividade 0,1 Ω·cm e BOW dentro de 10 μm

Dimensões:² de 5 x de 10mm

Orientação:plano (de 11-22) fora do ângulo para o plano da M-linha central 0 ±0.5° (11-22) fora do ângulo para

TTV:≤ 10µm
5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato de cristal único GaN de tipo N sem dopagem com TTV ≤ 10μm Resistividade 0,05 Ω·cm

Dimensões:² de 5 x de 10mm

Espessura:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
5*10mm2 SP-Face 10-11 Não dopado GaN de tipo N independente Substrato de cristal único 0,1 Ω·cm Resistividade para dispositivo de potência

Dimensões:² de 5 x de 10mm

Espessura:350 ±25µm

Orientação:(10- 11) plano fora do ângulo em direção ao eixo A 0 ±0,5° (10- 11) plano fora do ângulo em direção

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Wafer Epitaxial GaN Não Dopado

Cara GaN Substrate de C

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Safira plana LED azul de 4 polegadas GaN bolacha epitaxial em safira SSP

Independente N GaN Substratos N Face Superfície Rugosa 0,5um a 1,5um

100 mm 4 polegadas LED azul GaN Wafer epitaxial em safira SSP Espessura 5um - 6um

12.5mm 2inch N autônomo GaN Epi Wafer Si Doped

LED azul de 4 polegadas GaN Epitaxial Wafer C Plane Flat Sapphire

Substrato monocristal de GaN de gálio, tipo N, de face livre, não dopado

5*10mm2 SP-Face não dopado de tipo N GaN monokristalino 20-21 / 20-2-1 10mm2 Resistividade 0,05 Ω·cm

350 ± 25 μm Espessura Substrato monocristalino GaN independente não dopado de tipo N, com TTV ≤ 10 μm e Resistividade 0,1 Ω·cm

SP-Face 11-12 Não dopado Tipo N GaN de stand-alone Substrato de cristal único Resistividade 0,05 Ω·cm Densidade de defeito macro 0cm−2

Dispositivo de potência 5x10 mm2 Substrato de cristal único GaN de tipo N não dopado, com resistividade 0,1 Ω·cm e BOW dentro de 10 μm

5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato de cristal único GaN de tipo N sem dopagem com TTV ≤ 10μm Resistividade 0,05 Ω·cm

5*10mm2 SP-Face 10-11 Não dopado GaN de tipo N independente Substrato de cristal único 0,1 Ω·cm Resistividade para dispositivo de potência

GaN Epitaxial Wafer

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Bolacha sic Epitaxial

Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um

Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um

Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara