Nome do produto:azul da GaN-em-safira 4inch/bolacha verde do diodo emissor de luz
Espessura:650 ± 25μm
Orientação:Plano de C (0001) fora do ângulo para o ± 0.1° da M-linha central 0,2
Nome do produto:carcaças autônomas de N-GaN de 2-polegada
Dimensões:50,0 ±0.3mm
Artigo:GaN-FS-C-N-C50-SSP
Tipo:Safira lisa
Nome do produto:azul da GaN-em-safira 4inch/bolacha verde do diodo emissor de luz
Polonês:Único lado lustrado (SSP)/lado dobro lustrado (DSP)
Nome do produto:carcaças autônomas de N-GaN de 2-polegada
Dimensões:50,0 ±0.3mm
Espessura:400 ± 30μm
Tipo:Safira lisa
Nome do produto:azul da GaN-em-safira 4inch/bolacha verde do diodo emissor de luz
Polonês:Único lado lustrado (SSP)/lado dobro lustrado (DSP)
Nome do produto:Única carcaça de cristal de GaN
Dimensões:² de 5 x de 10mm
Espessura:350 ±25µm
Dimensões:100 ± 0.2mm
Espessura/espessura STD:4,5 ± 0.5μm/< 3%
Orientação:Plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo A 0,2 ± 0,1 °
Dimensões:100 ± 0.2mm
Nome do produto:4-inch MG-lubrificou GaN/Sapphire Substrates
Tipo da condução:P-tipo
Nome do produto:4-inch MG-lubrificou GaN/Sapphire Substrates
Dimensões:100 ± 0.2mm
Tipo da condução:P-tipo
Dimensões:50,8 ± 1mm
Espessura:350 ± 25μm
Plano da orientação:± 0.5˚ (de 1-100), 16 ± 1mm
Nome do produto:Azul-diodo emissor de luz GaN On Silicon Wafer
Dimensões:2 polegadas
Espessura do amortecedor de AlGaN:400-600nm
Nome do produto:2-4inch Verde-diodo emissor de luz GaN no silicone
Tamanho:2 polegadas, 4 polegadas
Dimensão:520±10nm