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Detalhes do produto:
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| Nome do produto: | Única carcaça de cristal de GaN | Dimensões: | ² de 5 x de 10mm |
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| Espessura: | 350 ±25µm | Orientação: | Um plano (11-20) fora do ângulo para o plano da M-linha central 0 ±0.5° A (11-20) fora do ângulo par |
| TTV: | ≤ 10µm | Curva: | - ≤ 10µm da CURVA do ≤ de 10µm |
| Destacar: | N Tipo N nitreto de gálio,GaN Substrato Epitaxial Un Doped,A Face Substrato de nitreto de gálio gan |
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5*10,5 mm2 A-face Substrato de cristal único de GaN não dopado tipo n Resistividade < 0,05 Ω·cm Dispositivo de alimentação/wafer de laser
Visão geral
A densidade de potência é bastante aprimorada em dispositivos de nitreto de gálio em comparação com os de silício porque o GaN tem a capacidade de sustentar frequências de comutação muito mais altas.Ele também tem uma maior capacidade de suportar temperaturas elevadas.
| A fás Free-standeung GaN Substrates | ||||
| Item | GaN-FS-AUS | GaN-FS-ANS | GaN-FS-A-SI-S |
Observações: Um ângulo de arco circular (R < 2 mm) é usado para distinguir a superfície frontal e posterior. |
| Dimensões | 5 x 10 mm2 | |||
| Grossura | 350 ±25 µm | |||
| Orientação |
Um plano (11-20) fora do ângulo em direção ao eixo M 0 ±0,5° Um plano (11-20) fora do ângulo em direção ao eixo C - 1 ± 0,2° |
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| Tipo de Condução | tipo N | tipo N | Semi-isolante | |
| Resistividade (300K) | < 0,1 Ω·cm | < 0,05 Ω·cm | > 106Ω·cm | |
| TTV | ≤ 10 µm | |||
| ARCO | - 10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm | |||
| Rugosidade da Superfície Frontal |
< 0,2 nm (polido); ou < 0,3 nm (polido e tratamento de superfície para epitaxia) |
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| Rugosidade da Superfície Traseira |
0,5 ~1,5 μm opção: 1~3 nm (solo fino);< 0,2 nm (polido) |
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| Densidade de Deslocamento | De 1 x 105para 3 x 106cm-2 | |||
| Densidade de Defeito Macro | 0 cm-2 | |||
| Área Útil | > 90% (exclusão de borda) | |||
| Pacote | Embalado em um ambiente de sala limpa classe 100, em contêiner de 6 PCS, sob uma atmosfera de nitrogênio | |||
Apêndice: O diagrama do ângulo de corte incorreto
Se δ1= 0 ±0,5°, então o plano A (11-20) fora do ângulo em direção ao eixo M é 0 ±0,5°.
Se δ2= - 1 ±0,2°, então o plano A (11-20) fora do ângulo em direção ao eixo C é - 1 ±0,2°.
Sobre nós
Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.
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