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GaN Epitaxial Wafer

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Única carcaça de cristal de GaN

Wafer Epitaxial GaN Não Dopado

Cara GaN Substrate de C

CHINA GaN Epitaxial Wafer

5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxial Wafer Un Dopado Si Tipo Gan Substrato Monocristal

Nome do produto:GaN Single Crystal Substrate autônomo

Dimensões:² de 5 x10mm

Espessura:350 ±25µm
Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate

Nome do produto:M Face Free-Standing GaN Substrates

Dimensões:5 x 10,5 mm²

Espessura:350 ±25µm
M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um

Nome do produto:GaN Substrato

Dimensões:5 x 10,5 mm²

Espessura:350 ±25µm
O Un lubrificou o tipo GaN Single Crystal Substrate 5x10mm2 M Face de N

Nome do produto:Única carcaça de cristal de GaN

Dimensões:² de 5 x de 10mm

Espessura:350 ±25µm
Substratos de GaN Epitaxial de GaN Não Dopados com Face Livre de GaN

Nome do produto:GaN Substrate autônomo

Dimensões:5 x 10 milímetros de ²

Espessura:350 ±25µm
GaN Nitreto de Gálio Wafer Espessura 325um - 375um Independente

Nome do produto:Única carcaça de cristal de GaN

Dimensões:² de 5 x de 10mm

Espessura:350 ±25µm
5 X 10 mm2 Face M GaN Epitaxial Wafer Espessura 325um 375um

Nome do produto:GaN Substrato

Dimensões:² de 5 x de 10mm

Espessura:350 ±25µm
Wafer de semicondutor de nitreto de gálio monocristal TTV 10um

Dimensões:5 x 10 milímetros de ²

Espessura:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
Uma cara GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates

Nome do produto:Uma cara GaN Substrates autônomo

Dimensões:² de 5 x de 10mm

Espessura:350 ±25µm
Polegada GaN Epi Wafer Dimensions da espessura 370um 430um 2 50mm

Nome do produto:carcaças autônomas de N-GaN de 2-polegada

Curva:≤ 20μm

Plano da orientação:(1 - 100) ±0.1˚, ± 12,5 1mm
625um a 675um 4 safira lisa azul do diodo emissor de luz GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP da polegada

Nome do produto:azul da GaN-em-safira 4inch/bolacha verde do diodo emissor de luz

Tipo:Safira lisa

Espessura:650 ± 25μm
safira lisa da bolacha do diodo emissor de luz do verde de 4inch GaN On Sapphire Wafer Blue 100 milímetros

Nome do produto:azul da GaN-em-safira 4inch/bolacha verde do diodo emissor de luz

Espessura:650 ± 25μm

Tipo:Safira lisa

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M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um

O Un lubrificou o tipo GaN Single Crystal Substrate 5x10mm2 M Face de N

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GaN Nitreto de Gálio Wafer Espessura 325um - 375um Independente

5 X 10 mm2 Face M GaN Epitaxial Wafer Espessura 325um 375um

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Polegada GaN Epi Wafer Dimensions da espessura 370um 430um 2 50mm

625um a 675um 4 safira lisa azul do diodo emissor de luz GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP da polegada

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GaN Epitaxial Wafer

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Bolacha sic Epitaxial

Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um

Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um

Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara