safira lisa da bolacha do diodo emissor de luz do verde de 4inch GaN On Sapphire Wafer Blue 100 milímetros

Name: safira lisa da bolacha do diodo emissor de luz do verde de 4inch GaN On Sapphire Wafer Blue 100 milímetros
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDWY03-001-031
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

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safira lisa da bolacha do diodo emissor de luz do verde de 4inch GaN On Sapphire Wafer Blue 100 milímetros

Imagem Grande : safira lisa da bolacha do diodo emissor de luz do verde de 4inch GaN On Sapphire Wafer Blue 100 milímetros

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Suzhou China
Marca:	GaNova
Certificação:	UKAS/ISO9001:2015
Número do modelo:	JDWY03-001-031

Condições de Pagamento e Envio:

Detalhes da embalagem:	Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 6 peças ou recipientes d
Tempo de entrega:	3-4 dias da semana
Termos de pagamento:	T/T
Habilidade da fonte:	10000pcs/Month

Contato

safira lisa da bolacha do diodo emissor de luz do verde de 4inch GaN On Sapphire Wafer Blue 100 milímetros

descrição

Nome do produto:	azul da GaN-em-safira 4inch/bolacha verde do diodo emissor de luz	Espessura:	650 ± 25μm
Tipo:	Safira lisa	Polonês:	Único lado lustrado (SSP)/lado dobro lustrado (DSP)
Dimensão:	100 ± 0.2mm	Orientação:	Plano de C (0001) fora do ângulo para o ± 0.1° da M-linha central 0,2
Destacar:	4inch gan em bolachas da safira , Bolacha verde azul do diodo emissor de luz , gan em bolachas da safira 100 milímetros

azul da GaN-Em-safira 4inch/± liso da safira 100 bolacha verde do diodo emissor de luz 0,2 milímetros

bolacha epitaxial azul do diodo emissor de luz GaN de 4 polegadas na safira SSP

O ingrediente chave para o diodo emissor de luz azul é nitreto do gálio, um material robusto com uma grande separação da energia, ou ‘diferença’, entre elétrons e furos -- esta diferença é crucial em ajustar a energia dos fotão emissores para produzir a luz azul.
Os diodos luminescentes (diodo emissor de luz) fabricaram do nitreto do gálio (GaN) conduziram à realização da iluminação de circuito integrado branca de grande eficacia.

Um outro problema grave em produzir o diodo emissor de luz azul era a dificuldade em GaN delubrificação com precisão. No final dos anos 80, Amano e Akasaki descobriram que quando GaN foi lubrificado com átomos do zinco, ele se emitiram mais luz e assim este deu a melhor p-lubrificação. Este os fenômenos foram explicados mais tarde em um artigo por Nakamura.

azul da GaN-em-safira 4inch/bolacha verde do diodo emissor de luz
Carcaça	Tipo	Safira lisa
	Polonês	Único lado lustrado (SSP)/lado dobro lustrado (DSP)
	Dimensão	± 100 0,2 milímetros
	Orientação	Plano de C (0001) fora do ângulo para o ± 0.1° da M-linha central 0,2
	Espessura	650 μm do ± 25
Epilayer	Estrutura	uGaN de 0.2μm pGaN/0.5μm MQWs/2.5μm nGaN/2.0μm
	Espessura	5,5 ± 0.5μm
	Aspereza (Ra)	<0>
	Densidade de deslocação	< 5="">8 cm2
	Comprimento de onda	Diodo emissor de luz azul	Diodo emissor de luz verde
		465 ± 10 nanômetro	525 ± 10 nanômetro
	Comprimento de onda FWHMs	< 25="" nm="">	< 40="" nm="">
Chip Performance	Corte-no μA de voltage@1	2.3-2.5V	2.2-2.4V
Área útil	> 90% (borda e exclusão macro dos defeitos)
Pacote	Empacotado em uma sala de limpeza em um único recipiente da bolacha

Sobre nós

Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.

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Pessoa de Contato: Xiwen Bai (Ciel)

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