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CHINA GaN Epitaxial Wafer

Wafer epitaxial de GaN essencial para a produção de chips de alta tensão e alta frequência

Tipo::Safira lisa

polonês:Único lado lustrado (SSP)/lado dobro lustrado (DSP)

Dimensão:50.8±0,2 mm (2 polegadas)/100±0,2 mm ((4 polegadas)/150 +0,2 mm (6 polegadas)
625um a 675um 4 polegadas LED azul nitruro de gálio GaN Wafer epitaxial em safira SSP safira plana

Nome do produto:azul da GaN-em-safira 4inch/bolacha verde do diodo emissor de luz

Tipo:Safira lisa

Espessura:650 ± 25μm
GaN 2 polegadas Nitreto de gálio Substrato de cristal único

Quantidade de ordem mínima:1

Detalhes da embalagem:Embalagem interna: caixa de embalagem específica da bolacha, embalagem exterior: embalagem de caixa

Termos de pagamento:T/T
Single Crystal Gan Epi Wafer Substrato de Nitreto de Gállio 4 polegadas

Quantidade de ordem mínima:1

Detalhes da embalagem:Embalagem interna: caixa de embalagem específica da bolacha, embalagem exterior: embalagem de caixa

Termos de pagamento:T/T
Nitreto de gálio de substrato GaN independente dopado de 4 polegadas

Quantidade de ordem mínima:1

Detalhes da embalagem:Embalagem interna: caixa de embalagem específica da bolacha, embalagem exterior: embalagem de caixa

Termos de pagamento:T/T

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sobre

GaN Epitaxial Wafer: o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI; O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm; Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Bolacha sic Epitaxial: Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um; Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um; Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara

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