CHINA GaN Epitaxial Wafer

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  5*10mm2 SP-cara (20-21)/(20-2-1) Un-lubrificou o N-tipo resistividade autônoma de GaN Single Crystal Substrate < 0,1 Ω·cm

  Dimensões:² de 5 x de 10mm

  Espessura:350 ±25µm

  TTV:≤ 10µm

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  a Um-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o N-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo <0.1 Ω·dispositivo de poder do cm/laser W

  Dimensões:² de 5 x de 10mm

  Espessura:µm 350 ±25

  Orientação:Um plano (11-20) fora do ângulo para o plano da M-linha central 0 ±0.5° A (11-20) fora do ângulo par

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  10 X 10,5 mm2 Substratos de GaN independentes - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm

  Nome do produto:GaN Epitaxial Wafer

  Dimensões:10 x 10,5 mm²

  Espessura:350 ±25µm

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  a C-cara 10*10.5mm2 Fe-lubrificou o Si-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo > 10 o ⁶ Ω·Bolacha dos dispositivos RF do Cm

  Dimensões:10 x 10,5 mm²

  Espessura:350 ±25µm

  TTV:µm do ≤ 10

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  A C-cara 10 x 10,5 mm2 Un-lubrificou o N-tipo GaN Single Crystal Substrate autônomo

  Nome do produto:Única carcaça de cristal de GaN

  Dimensões:10 x 10,5 mm²

  Espessura:350 ±25µm

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