Nitreto de gálio de substrato GaN independente dopado de 4 polegadas

Introdução ao nitreto de gálio dopado com ferro (GaN) de 4 polegadasSubstrato de cristal único

O substrato de cristal único de nitruro de gálio (GaN) dopado com ferro de 4 polegadas é um substrato de cristal único feito de material de nitruro de gálio (GaN),que melhora as suas propriedades elétricas dopando elementos de ferroO nitruro de gálio (GaN) é um material semicondutor de banda larga com uma banda direta de 3,4 eV, o que o torna amplamente utilizado em dispositivos optoeletrônicos e eletrônicos de potência.

Processo de preparação

O processo de preparação de um substrato de cristal único de nitreto de gálio dopado com ferro de 4 polegadas inclui:

Tecnologia MOCVD: utilizada para o cultivo de uma camada de cristal único de nitreto de gálio de alta qualidade 4.

Tecnologia de esfoliação a laser: utilizada para remover defeitos nas camadas de cristal único e melhorar o desempenho do substrato.

Tecnologia HVPE: utilizada para a produção em larga escala de substratos de nitruro de gálio para melhorar a eficiência da produção.

Em resumo, o substrato de cristal único de nitreto de gálio dopado com ferro de 4 polegadas é um material semicondutor de alto desempenho com amplas perspectivas de aplicação,especialmente nos campos da optoelectrónica e da electrónica de potência.

Especificações do produto

Substratos de N-GaN de 2 polegadas
	Nível de produção ((P)			Res- O que foi?h(R)	Tonto.(D)	Nota: (1) 5 pontos: os ângulos de erro de corte de 5 posições são 0,55 ± 0,15o (2) 3 pontos: os ângulos de erro de corte das posições (2, 4, 5) são 0,55 ± 0,15o (3) Área útil: exclusão de defeitos periféricos e macro (buracos)
	P+	P	- Não.
Ponto	GaN-FS-C-N-C50-SSP
Dimensões	50.0 ± 0,3 mm
Espessura	400 ± 30 μm
Plano de orientação	(1-100) ±0.1o,12.5 ± 1 mm
TTV	≤ 15 μm
Arco-íris	≤ 20 μm
Resistência (300K)	≤ 0,02 Ω·cm para o tipo N (dopado com Si)
Ga rugosidade da superfície da face	≤ 0,3 nm (polido e tratamento de superfície para epitaxia)
N rugosidade da superfície da face	0.5 ~ 1,5 μm (polido de um só lado)
C plano (0001) fora de ângulo em direção ao eixo M (ângulos de incongruência)	00,55 ± 0.1o (5 pontos)	0.55 ± 0.15o (5 pontos)		00,55 ± 0.15o (3 pontos)
Densidade de deslocação do rosqueamento	≤ 7,5 x 105 cm2	≤ 3 x 106 cm-2
Número e tamanho máximo dos furos em Ф47 mm no centro	0		≤ 3@1000 μm	≤ 12@1500 μm	≤ 20@3000 μm
Área utilizável	> 90%			> 80%	> 70%
Pacote	Embalado em uma sala limpa num recipiente de wafer único

Sobre nós

Somos especializados no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e componentes de vidro óptico personalizados amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também temos trabalhado em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras., instituições de investigação e empresas, fornecem produtos e serviços personalizados para os seus projectos de I&D.É a nossa visão para manter uma boa relação de cooperação com todos os nossos clientes pela nossa boa reputação.

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