CHINA GaN Epitaxial Wafer

a M-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o N-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo < 0,05 Ω·dispositivo de poder do cm/laser

Dimensões:² de 5 x de 10mm

Espessura:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
a SP-cara 5*10mm2 (10-11) Un-lubrificou o Si-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo > 10 o ⁶ Ω·Dispositivo RF do Cm

Dimensões:² de 5 x de 10mm

Espessura:350 ±25µm

Orientação:(10- 11) plano fora do ângulo em direção ao eixo A 0 ±0,5° (10- 11) plano fora do ângulo em direção
a Um-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0,05 Ω·dispositivo de poder do cm/laser

Dimensões:² de 5 x de 10mm

Espessura:350 ±25µm

Orientação:Um plano (11-20) fora do ângulo para o plano da M-linha central 0 ±0.5° A (11-20) fora do ângulo par
a SP-cara 5*10mm2 (11-12) Un-lubrificou o Si-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo > 10 o ⁶ Ω·Dispositivo RF do Cm

Dimensões:² de 5 x de 10mm

Espessura:350 ±25µm

Orientação:plano (de 11-22) fora do ângulo para o plano da M-linha central 0 ±0.5° (11-22) fora do ângulo para
a Um-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o Si-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo > 10 o ⁶ Ω·Bolacha dos dispositivos RF do Cm

Dimensões:² de 5 x de 10mm

Espessura:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
plano de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) fora do ângulo para a M-linha central 0,35 ±0.15°

Dimensões:10 x 10,5 mm²

Espessura:350 ±25µm

Orientação:Plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo M 0,35 ±0,15°
Espessura 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Substratos de GaN independentes

Nome do produto:GaN Substrates autônomo

Dimensões:10 x 10,5 mm²

Espessura:350 ±25µm
µm do ≤ 10 do µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350

Nome do produto:GaN Epitaxial Wafer

Dimensões:10*10,5 mm²

Espessura:350 ±25µm
N-tipo diodo emissor de luz Si-lubrificado de 4 polegadas de GaN On Sapphire Wafer SSP Resistivity<0.05 Ω cm, laser, PIN Epitaxial Wafer

Nome do produto:Substratos de GaN/safira dopados com Si de 4 polegadas

Espessura/espessura STD:4,5 ± 0.5μm/< 3%

Orientação:Plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo A 0,2 ± 0,1 °
Substratos de GaN Ga Rugosidade da superfície da face < 0,2 nm (polido) ou < 0,3 nm (polido e tratamento de superfície para epitaxia)

Nome do produto:Única carcaça de cristal de GaN

Dimensões:10 x 10,5 mm²

Espessura:350 ±25µm
AlGaN Buffer Thickness 600nm 2inch Blue-LED GaN On Silicon Wafer

Dimensões:2 polegadas/4 polegadas

Espessura do amortecedor de AlGaN:600NM

Laser do d'onde do Longueur:455±10nm
Wafer epitaxial de 2 ′′ 6 polegadas tipo N GaN em safira para dispositivo PIN a laser LED

Tipo::Safira lisa

polonês:Único lado lustrado (SSP)/lado dobro lustrado (DSP)

Dimensão:50.8±0,2 mm (2 polegadas)/100±0,2 mm ((4 polegadas)/150 +0,2 mm (6 polegadas)

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GaN Epitaxial Wafer

Única carcaça de cristal de GaN

Wafer Epitaxial GaN Não Dopado

Cara GaN Substrate de C

CHINA GaN Epitaxial Wafer

a M-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o N-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo < 0,05 Ω·dispositivo de poder do cm/laser

a SP-cara 5*10mm2 (10-11) Un-lubrificou o Si-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo > 10 o ⁶ Ω·Dispositivo RF do Cm

a Um-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0,05 Ω·dispositivo de poder do cm/laser

a SP-cara 5*10mm2 (11-12) Un-lubrificou o Si-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo > 10 o ⁶ Ω·Dispositivo RF do Cm

a Um-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o Si-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo > 10 o ⁶ Ω·Bolacha dos dispositivos RF do Cm

plano de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) fora do ângulo para a M-linha central 0,35 ±0.15°

Espessura 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Substratos de GaN independentes

µm do ≤ 10 do µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350

N-tipo diodo emissor de luz Si-lubrificado de 4 polegadas de GaN On Sapphire Wafer SSP Resistivity<0.05 Ω cm, laser, PIN Epitaxial Wafer

Substratos de GaN Ga Rugosidade da superfície da face < 0,2 nm (polido) ou < 0,3 nm (polido e tratamento de superfície para epitaxia)

AlGaN Buffer Thickness 600nm 2inch Blue-LED GaN On Silicon Wafer

Wafer epitaxial de 2 ′′ 6 polegadas tipo N GaN em safira para dispositivo PIN a laser LED

GaN Epitaxial Wafer

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Bolacha sic Epitaxial

Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um

Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um

Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara