CHINA GaN Epitaxial Wafer

Densidade de defeito macro 0cm−2 Substrato de cristal único de GaN independente do tipo SI não dopado para dispositivos RF 5*10mm2 M-Face

Dimensões:² de 5 x de 10mm

Espessura:350 ±25µm

Curva:- ≤ 10µm da CURVA do ≤ de 10µm
TTV ≤ 10μm A-Face não dopado de tipo N GaN monokristalino de sustrato independente Resistividade 0,1 Ω·cm Dispositivo de potência/Laser W

Dimensões:² de 5 x de 10mm

Espessura:µm 350 ±25

Orientação:Um plano (11-20) fora do ângulo para o plano da M-linha central 0 ±0.5° A (11-20) fora do ângulo par
10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Macro Defecto Densidade 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistividade 106 Ω·Cm Dispositivos RF Wafer

Dimensões:10 x 10,5 mm²

Espessura:350 ±25µm

TTV:µm do ≤ 10
2 polegadas verde LED GaN em Wafer de Silício Dimensão 520±10nm

Nome do produto:Verde-diodo emissor de luz GaN na bolacha de silicone

Tamanho:2 polegadas 4 polegadas

Estrutura da carcaça:111) carcaças de 20nmContact layer/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si (
10 X 10,5 mm2 C Caracter não dopado N Tipo de substrato de cristal único GaN em pé livre

Nome do produto:Única carcaça de cristal de GaN

Dimensões:10 x 10,5 mm²

Espessura:350 ±25µm
10 X 10,5 mm2 Substratos GaN em pé livre - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm

Nome do produto:GaN Epitaxial Wafer

Dimensões:10 x 10,5 mm²

Espessura:350 ±25µm
GaN dopado com UID tipo N de 4 polegadas em wafer de safira SSP Resistividade＞0,5 Ω cm LED, laser, PIN Wafer epitaxial

Dimensões:100 ± 0.2mm

Espessura/espessura STD:4,5 ± 0.5μm/< 3%

Orientação:Plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo A 0,2 ± 0,1 °
GaN dopado com magnésio tipo P de 4 polegadas em bolacha de safira SSP resistividade ~ 10Ω cm LED laser PIN bolacha epitaxial

Dimensões:100 ± 0.2mm

Nome do produto:4-inch MG-lubrificou GaN/Sapphire Substrates

Tipo da condução:P-tipo
laser MG-lubrificado 4-Inch PIN Epitaxial Wafer do diodo emissor de luz de GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm

Nome do produto:4-inch MG-lubrificou GaN/Sapphire Substrates

Dimensões:100 ± 0.2mm

Tipo da condução:P-tipo
Substrato monocristal de GaN monocristal do tipo SI dopado com face C de 2 polegadas Resistividade > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF

Dimensões:50,8 ± 1mm

Espessura:350 ± 25μm

Plano da orientação:± 0.5˚ (de 1-100), 16 ± 1mm
2inch laser 455±10nm do Azul-diodo emissor de luz GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde

Nome do produto:Azul-diodo emissor de luz GaN On Silicon Wafer

Dimensões:2 polegadas

Espessura do amortecedor de AlGaN:400-600nm
Camada do Verde-diodo emissor de luz GaN On Silicon Wafer 20nmContact da dimensão 520±10nm 2inch

Nome do produto:2-4inch Verde-diodo emissor de luz GaN no silicone

Tamanho:2 polegadas, 4 polegadas

Dimensão:520±10nm

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GaN Epitaxial Wafer

Única carcaça de cristal de GaN

Wafer Epitaxial GaN Não Dopado

Cara GaN Substrate de C

CHINA GaN Epitaxial Wafer

Densidade de defeito macro 0cm−2 Substrato de cristal único de GaN independente do tipo SI não dopado para dispositivos RF 5*10mm2 M-Face

TTV ≤ 10μm A-Face não dopado de tipo N GaN monokristalino de sustrato independente Resistividade 0,1 Ω·cm Dispositivo de potência/Laser W

10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Macro Defecto Densidade 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistividade 106 Ω·Cm Dispositivos RF Wafer

2 polegadas verde LED GaN em Wafer de Silício Dimensão 520±10nm

10 X 10,5 mm2 C Caracter não dopado N Tipo de substrato de cristal único GaN em pé livre

10 X 10,5 mm2 Substratos GaN em pé livre - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm

GaN dopado com UID tipo N de 4 polegadas em wafer de safira SSP Resistividade＞0,5 Ω cm LED, laser, PIN Wafer epitaxial

GaN dopado com magnésio tipo P de 4 polegadas em bolacha de safira SSP resistividade ~ 10Ω cm LED laser PIN bolacha epitaxial

laser MG-lubrificado 4-Inch PIN Epitaxial Wafer do diodo emissor de luz de GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm

Substrato monocristal de GaN monocristal do tipo SI dopado com face C de 2 polegadas Resistividade > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF

2inch laser 455±10nm do Azul-diodo emissor de luz GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde

Camada do Verde-diodo emissor de luz GaN On Silicon Wafer 20nmContact da dimensão 520±10nm 2inch

GaN Epitaxial Wafer

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Bolacha sic Epitaxial

Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um

Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um

Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara