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Detalhes do produto:
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| Dimensões: | 50,8 ± 1mm | Espessura: | 350 ± 25μm |
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| Plano da orientação: | ± 0.5˚ (de 1-100), 16 ± 1mm | Plano secundário da orientação: | ± 3˚ (de 11-20), 8 ± 1mm |
| TTV: | ≤ 15μm | Curva: | ≤ 40μm do ≤ 20μm |
| Destacar: | Substrato de cristal único GaN de 2 polegadas,Resistividade GaN Substrato de cristal único |
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Substrato monocristal de GaN dopado com Fe do tipo SI de 2 polegadas Resistividade > 106Dispositivos de RF Ω·cm
Visão geral
Bolachas epitaxiais de nitreto de gálio (GaN) (epi-wafers).Transistores de alta mobilidade eletrônica GaN (HEMT) wafers em diferentes substratos, como substrato de silício, substrato de safira, substrato de carboneto de silício (SiC).Oferecemos GaN em wafers de SiC para aplicações de RF e energia.
| Substratos independentes de U-GaN/SI-GaN de 2 polegadas | |||||||
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Nível excelente (S) |
Nível de produção (B) |
Pesquisar nível (B) |
Fictício nível (C) |
Observação: (1) Área utilizável: exclusão de defeitos de borda e macro (2) 3 pontos: os ângulos incorretos das posições (2, 4, 5) são 0,35 ± 0,15o |
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| S-1 | S-2 | A-1 | A-2 | ||||
| Dimensões | 50,8 ± 1 mm | ||||||
| Grossura | 350 ± 25 μm | ||||||
| Orientação plana | (1-100) ± 0,5o, 16 ± 1 mm | ||||||
| Orientação secundária plana | (11-20) ± 3o, 8 ± 1 mm | ||||||
| Resistividade (300K) |
< 0,5 Ω·cm para tipo N (não dopado; GaN-FS-CU-C50) ou > 1 x 106Ω·cm para semi-isolante (dopado com Fe; GaN-FS-C-SI-C50) |
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| TTV | ≤ 15 μm | ||||||
| ARCO | ≤ 20 μm ≤ 40 μm | ||||||
| Ga rugosidade da superfície facial |
< 0,2 nm (polido) ou < 0,3 nm (polido e tratamento de superfície para epitaxia) |
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| N rugosidade da superfície da face |
0,5 ~1,5 μm opção: 1~3 nm (solo fino);< 0,2 nm (polido) |
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| Pacote | Embalado em uma sala limpa em um único recipiente de wafer | ||||||
| Área utilizável | > 90% | >80% | >70% | ||||
| Densidade de deslocamento | <9,9x105cm-2 | <3x106cm-2 | <9,9x105cm-2 | <3x106cm-2 | <3x106cm-2 | ||
| Orientação: plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo M |
0,35 ± 0,15o (3 pontos) |
0,35 ± 0,15o (3 pontos) |
0,35 ± 0,15o (3 pontos) |
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| Densidade de macro defeito (furo) | 0 cm-2 | < 0,3 cm-2 | < 1 cm-2 | ||||
| Tamanho máximo de defeitos de macro | < 700 μm | < 2000 μm | < 4000 μm | ||||
Sobre nós
Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.
Perguntas frequentes
Q: você está negociando empresa ou fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é o seu tempo de entrega?
Geralmente leva de 3 a 5 dias se as mercadorias estiverem em estoque.
ou leva de 7 a 10 dias se as mercadorias não estiverem em estoque, é de acordo com a quantidade.
P: você fornece amostras?é gratuito ou extra?
Sim, podemos oferecer a amostra gratuitamente, mas não pagamos o custo do frete.
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