Camada do Verde-diodo emissor de luz GaN On Silicon Wafer 20nmContact da dimensão 520±10nm 2inch

Name: Camada do Verde-diodo emissor de luz GaN On Silicon Wafer 20nmContact da dimensão 520±10nm 2inch
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDWY03-002-016
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

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Camada do Verde-diodo emissor de luz GaN On Silicon Wafer 20nmContact da dimensão 520±10nm 2inch

Imagem Grande : Camada do Verde-diodo emissor de luz GaN On Silicon Wafer 20nmContact da dimensão 520±10nm 2inch

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Suzhou China
Marca:	GaNova
Certificação:	UKAS/ISO9001:2015
Número do modelo:	JDWY03-002-016

Condições de Pagamento e Envio:

Detalhes da embalagem:	Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 6 peças ou recipientes d
Tempo de entrega:	3-4 dias da semana
Termos de pagamento:	T/T
Habilidade da fonte:	10000pcs/Month

Contato

Camada do Verde-diodo emissor de luz GaN On Silicon Wafer 20nmContact da dimensão 520±10nm 2inch

descrição

Nome do produto:	2-4inch Verde-diodo emissor de luz GaN no silicone	Tamanho:	2 polegadas, 4 polegadas
Dimensão:	520±10nm	Estrutura da carcaça:	111) carcaças de 20nmContact layer/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si (
Pacote:	Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, no recipiente 25PCS, sob uma atmosfer	Certificação:	UKAS/ISO9001:2015
Destacar:	20nm GaN em Wafer de Silício , 520±10nm GaN em Wafer de Silício

2inch Verde-diodo emissor de luz GaN na bolacha de silicone

Vista geral

O nitreto do gálio (GaN) está criando um deslocamento inovativo durante todo o mundo da eletrônica de poder. Por décadas, os MOSFETs silicone-baseados (transistor de efeito de campo do semicondutor de óxido de metal) foram uma parte integrante do mundo moderno diário que ajuda a energia do converso a pôr.

As redes adversarial Generative (GANs) são as arquiteturas algorítmicas que usam duas redes neurais, picada uma contra o outro (assim o “adversarial ") a fim gerar exemplos novos, sintéticos dos dados que podem passar para dados reais. São usados extensamente na geração da imagem, na geração video e na geração da voz.

2-4inch Verde-diodo emissor de luz GaN no silicone
Carcaças do si do artigo 111) (		Amortecedor do Al (GA) N	uGaN	nGaN	MQW (1-3 pares)		AlGaN	pGaN	Camada do contato
					InGaN-QW	GaN-QB
Dimensões		2 polegadas, 4 polegadas
		520±10nm
Espessura		800nm	1000nm	3000nm	~3nm	~10nm	35nm	145nm	20nm
Composição	Al%	/	/	/	/	/	~15	/	/
	In%	/	/	/	~25	/	/	/	/
Lubrificação	[Si]	/	/	8.0E+18	/	2.0E+17	/	/	/
	[Magnésio]	/	/	/	/	/	1.0E+20	3.0E+19	2.0E+20
Estrutura da carcaça		111) carcaças de 20nmContact layer/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si (
Pacote		Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, no recipiente 25PCS, sob uma atmosfera do nitrogênio

Sobre nós

Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.

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Pessoa de Contato: Xiwen Bai (Ciel)

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