Detalhes do produto:
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Nome do produto: | 4-inch MG-lubrificou GaN/Sapphire Substrates | Dimensões: | 100 ± 0.2mm |
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Tipo da condução: | P-tipo | Resistividade (300K): | < 10=""> |
Concentração de portador: | > ³ do cm⁻ do ⁷ de 1 x 10 ¹ (que lubrifica a concentração de ³ do cm⁻ do ⁹ do ¹ do ≥ 5 x 10 de p+GaN | Mobilidade: | > ² /V de 5cm·s |
Destacar: | Wafer epitaxial GaN a laser LED |
P-tipo GaN MG-lubrificado de 4 polegadas no diodo emissor de luz da bolacha SSP resistivity~10Ω cm da safira, laser, bolacha epitaxial do PIN
Por que use GaN Wafers?
O nitreto do gálio na safira é o material ideal para a amplificação de rádio da energia. Oferece um número de benefícios sobre o silicone, incluindo uma tensão mais alta da divisão e um desempenho melhor em altas temperaturas.
GaN é um semicondutor direto binário do bandgap de III/V de uso geral em diodos luminescentes brilhantes desde os anos 90. O composto é um material muito duro que tenha uma estrutura de cristal do Wurtzite. Sua diferença de faixa larga do eV 3,4 tem-no recursos para propriedades especiais para aplicações
optoelectronic
dispositivos de alta potência
dispositivos de alta frequência
4-inch MG-lubrificou GaN/Sapphire Substrates | ||
Artigo | GaN-T-C-P-C100 |
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Dimensões | 100 ± 0.2mm | |
Espessura/espessura STD | 4,5 μm do ± 0,5/ < 3=""> | |
Orientação | Plano de C (0001) fora do ângulo para o ° do ± 0,1 da Um-linha central 0,2 | |
Plano da orientação de GaN | (1-100) 0 ° do ± 0,2, ± 30 1 milímetro | |
Tipo da condução | P-tipo | |
Resistividade (300K) | < 10=""> | |
Concentração de portador | > 1 x 1017 cm-3 (que lubrificam a concentração de cm-3 do ≥ 5 x 1019 de p +GaN) | |
Mobilidade | > 5 cm2/V·s | |
*XRD FWHMs | (0002) < 300arcsec=""> | |
Estrutura |
~ 0,5 p-GaN/~ do μm do μm p +GaN/~ 1,5 2,5 uGaN do uGaN/~ 25 nanômetro do μm buffer/430 safira do μm do ± 25 |
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Orientação da safira | Plano de C (0001) fora do ângulo para o ° do ± 0,1 da M-linha central 0,2 | |
Plano da orientação da safira | (11-20) 0 ° do ± 0,2, 30± 1 milímetro | |
Sapphire Polish | Único lado lustrado (SSP)/lado dobro lustrado (DSP) | |
Área útil | > 90% (borda e exclusão macro dos defeitos) | |
Pacote |
Empacotado em uma sala de limpeza em uns recipientes: única caixa da bolacha (< 3="" PCS=""> |
Sobre nós
Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.
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Q: Que é seus termos de pagamento?
Pagamento <>
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