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625um a 675um 4 polegadas LED azul nitruro de gálio GaN Wafer epitaxial em safira SSP safira plana

Certificado
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificações
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625um a 675um 4 polegadas LED azul nitruro de gálio GaN Wafer epitaxial em safira SSP safira plana

625um a 675um 4 polegadas LED azul nitruro de gálio GaN Wafer epitaxial em safira SSP safira plana
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Imagem Grande :  625um a 675um 4 polegadas LED azul nitruro de gálio GaN Wafer epitaxial em safira SSP safira plana

Detalhes do produto:
Lugar de origem: porcelana de suzhou
Marca: GaNova
Certificação: UKAS/ISO9001:2015
Número do modelo: JDWY03-001-031
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 5
Detalhes da embalagem: Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 6 peças ou recipientes d
Tempo de entrega: 3-4 dias da semana
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 10000pcs/mês

625um a 675um 4 polegadas LED azul nitruro de gálio GaN Wafer epitaxial em safira SSP safira plana

descrição
Nome do produto: azul da GaN-em-safira 4inch/bolacha verde do diodo emissor de luz Tipo: Safira lisa
Espessura: 650 ± 25μm orientação: Plano de C (0001) fora do ângulo para o ± 0.1° da M-linha central 0,2
polonês: Único lado lustrado (SSP)/lado dobro lustrado (DSP) Dimensão: 100 ± 0.2mm
Destacar:

625um gan epinefrina

,

675um gan epinefrina

,

Orifício epitaxial de 4 polegadas

Espessura do substrato 650 ± 25 μm 4 polegadas LED azul GaN Wafer epitaxial em safira SSP safira plana

Nitreto de gálio LED azul Wafer epitaxial de GaN em SSP de safira

 

Por exemplo, o nitruro de gálio (GaN) é o substrato que torna possíveis os diodos laser violeta (405 nm), sem o uso de duplicação de frequência óptica não linear.A sua sensibilidade à radiação ionizante é baixa (como outros nitritos do grupo III)A utilização de células solares para satélites também pode beneficiar aplicações militares e espaciais, uma vez que os dispositivos demonstraram estabilidade em ambientes de radiação.

 

4 polegadas GaN-on-Sapphire Blue/Green LED Wafer

 

 

 

Substrato

Tipo Safira plana

 

625um a 675um 4 polegadas LED azul nitruro de gálio GaN Wafer epitaxial em safira SSP safira plana 0

Polonês Polido de lado único (SSP) / polido de lado duplo (DSP)
Dimensão 100 ± 0,2 mm
Orientação C plano (0001) fora de ângulo em direcção ao eixo M 0,2 ± 0,1°
Espessura 650 ± 25 μm

 

 

 

Epilação

Estrutura 0.2μm pGaN/0.5μm MQWs/2.5μm nGaN/2.0μm uGaN
Espessura 5.5 ± 0,5 μm
Roughness (Ra) < 0,5 nm
Densidade de deslocamento < 5 × 108cm-2
Comprimento de onda LED azul LED verde
465 ± 10 nm 525 ± 10 nm
FWHM de comprimento de onda < 25 nm < 40 nm
Desempenho do chip Voltagem de corte@1μA 2.3-2.5 V 2.2-2.4V
Área utilizável > 90% (excluindo defeitos de borda e macro)

 

Pacote

 

Embalado em uma sala limpa num único recipiente de bolachas

 

 

Sobre nós

Somos especializados no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e componentes de vidro óptico personalizados amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também temos trabalhado em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras., instituições de investigação e empresas, fornecem produtos e serviços personalizados para os seus projectos de I&D.É a nossa visão para manter uma boa relação de cooperação com todos os nossos clientes pela nossa boa reputação.

 

 

Perguntas frequentes

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Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Xiwen Bai (Ciel)

Telefone: +8613372109561

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