625um a 675um 4 safira lisa azul do diodo emissor de luz GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP da polegada

Μm do ± 25 da espessura 650 da carcaça 4 safira lisa azul do diodo emissor de luz GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP da polegada

bolacha epitaxial azul do diodo emissor de luz GaN de 4 polegadas na safira SSP

Por exemplo, GaN é a carcaça que torna diodos láser da violeta (405 nanômetro) possíveis, sem uso da frequência-duplicação ótica não-linear. Sua sensibilidade à radiação ionizante é baixa (como outros nitretos do grupo III), fazendo lhe um material apropriado para disposições de célula solar para satélites. As aplicações das forças armadas e do espaço poderiam igualmente beneficiar-se porque os dispositivos mostraram a estabilidade em ambientes da radiação.

Sobre nós

Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.

FAQ

Q: São você empresa comercial ou o fabricante?
Nós somos fábrica.
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