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Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate

Certificado
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificações
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Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate

Imagem Grande :  Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Suzhou China
Marca: GaNova
Certificação: UKAS/ISO9001:2015
Número do modelo: JDCD01-001-007
Condições de Pagamento e Envio:
Detalhes da embalagem: Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 6 peças ou recipientes d
Tempo de entrega: 3-4 dias da semana
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 10000pcs/Month

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate

descrição
Nome do produto: M Face Free-Standing GaN Substrates Dimensões: 5 x 10,5 mm²
Espessura: 350 ±25µm TTV: ≤ 10µm
Curva: - ≤ 10µm da CURVA do ≤ de 10µm Densidade macro do defeito: ² 0cm⁻
Destacar:

350um gan na bolacha de silicone

,

M Face gan na bolacha do si

,

UKAS gan na bolacha de silicone

M Face Free-Standing GaN Substrates Front Surface Roughness < 0="">

a M-cara 5*10.5mm2 Un-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0="">


Vista geral

Há três carcaças principais que são usadas com GaN - carboneto de silicone (sic), silicone (si) e diamante. GaN sobre é a maioria de terra comum dos três e foi usado sic em vários pedidos no militar e para aplicações sem fio da infraestrutura do poder superior. GaN no si é uma carcaça mais nova cujo o desempenho não seja tão bom quanto sic mas é mais econômico. GaN no diamante é o mais de funcionamento satisfatório, contudo desde que é novo e relativamente caro, as aplicações, onde este foi usado, é limitado.

M enfrenta carcaças autônomas de GaN
Artigo

GaN-FS-M-U-s

GaN-FS-M-n-s

GaN-FS-m-SI-s

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate 0

Observações:

Um ângulo circular do arco (R < 2="" mm="">

Dimensões 5 x 10 milímetros2
Espessura µm 350 ±25
Orientação

Plano de M (1 - 100) fora do ângulo para a Um-linha central 0 ±0.5°

Plano de M (1 - 100) fora do ângulo para a C-linha central - 1 ±0.2°

Tipo da condução N-tipo N-tipo Semi-isolamento
Resistividade (300K) < 0=""> < 0=""> > 106 Ω·cm
TTV µm do ≤ 10
CURVA - 10 µm do ≤ 10 da CURVA do ≤ do µm
Front Surface Roughness

< 0="">

ou < 0="">

Aspereza de superfície traseira

0,5 μm ~1,5

opção: 1~3 nanômetro (terra fina); < 0="">

Densidade de deslocação De 1 x 105 a 3 x 106 cm2
Densidade macro do defeito 0 cm2
Área útil > 90% (exclusão da borda)
Pacote Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, no recipiente de 6 PCS, sob uma atmosfera do nitrogênio

Apêndice: O diagrama do ângulo do miscut

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate 1

Se o grau ±0.5 do δ 1= 0, a seguir o plano de M (1 - 100) fora do ângulo para a Um-linha central são 0 graus ±0.5.

Se δ2= - 1 grau ±0.2, a seguir plano de M (1 - 100) fora do ângulo para a C-linha central é - 1 grau ±0.2.

Sobre nós

Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.

FAQ

Q: São você empresa comercial ou o fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?
Geralmente é 3-5 dias se os bens estão no estoque.
ou é 7-10 dias se os bens não estão no estoque, ele é de acordo com a quantidade.
Q: Você fornece amostras? são livre ou extra?
Sim, nós poderíamos oferecer a amostra para a carga livre mas não pagamos o custo do frete.
Q: Que é seus termos de pagamento?
Pagamento <> >=5000USD do pagamento, 80% T/T adiantado, equilíbrio antes da expedição.

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Xiwen Bai (Ciel)

Telefone: +8613372109561

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