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Casa ProdutosGaN Epitaxial Wafer

5 X 10 mm2 Face M GaN Epitaxial Wafer Espessura 325um 375um

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Certificado
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificações
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5 X 10 mm2 Face M GaN Epitaxial Wafer Espessura 325um 375um

5 X 10 mm2 Face M GaN Epitaxial Wafer Espessura 325um 375um
5 X 10 mm2 M Face GaN Epitaxial Wafer Thickness 325um 375um
5 X 10 mm2 Face M GaN Epitaxial Wafer Espessura 325um 375um 5 X 10 mm2 Face M GaN Epitaxial Wafer Espessura 325um 375um

Imagem Grande :  5 X 10 mm2 Face M GaN Epitaxial Wafer Espessura 325um 375um

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Suzhou China
Marca: GaNova
Certificação: UKAS/ISO9001:2015
Número do modelo: JDCD01-001-008
Condições de Pagamento e Envio:
Detalhes da embalagem: Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 6 peças ou recipientes d
Tempo de entrega: 3-4 dias da semana
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 10000pcs/Month
Contato

5 X 10 mm2 Face M GaN Epitaxial Wafer Espessura 325um 375um

descrição
Nome do produto: GaN Substrato Dimensões: ² de 5 x de 10mm
Espessura: 350 ±25µm TTV: ≤ 10µm
Curva: - ≤ 10µm da CURVA do ≤ de 10µm Densidade macro do defeito: ² 0cm⁻
Destacar:

5 X 10

,

5 mm2 GaN Epitaxial Wafer

,

325um gan gan nitreto de gálio wafer

5 x 10 mm2Substratos de GaN independentes da face M Espessura 350 ±25 µm

5*10mm2Substrato monocristal de GaN não dopado tipo N não dopado Resistividade < 0,05 Ω·cm Dispositivo de alimentação/wafer de laser

 


Visão geral
Esses wafers de GaN criam diodos de laser ultrabrilhantes sem precedentes e dispositivos de energia de alta eficiência para uso em fontes de luz de projetores, inversores para veículos elétricos e outras aplicações.
As características são alta cristalinidade, boa uniformidade e qualidade de superfície superior.Os substratos GaN são usados ​​para aplicações LD (violeta, azul e verde).

 

M fás Free-steeung GaN Substrates
Item

GaN-FS-MUS

 

GaN-FS-MNS

 

 GaN-FS-M-SI-S

 

 

 

 

 

 

 

 

5 X 10 mm2 Face M GaN Epitaxial Wafer Espessura 325um 375um 0

 

 

Observações:

Um ângulo de arco circular (R < 2 mm) é usado para distinguir a superfície frontal e posterior.
Dimensões 5 x 10 mm2
Grossura 350 ±25 µm
Orientação

Plano M (1-100) fora do ângulo em direção ao eixo A 0 ±0,5°

Plano M (1-100) fora do ângulo em direção ao eixo C - 1 ±0,2°
Tipo de Condução tipo N tipo N Semi-isolante
Resistividade (300K) < 0,1 Ω·cm < 0,05 Ω·cm > 106Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
ARCO - 10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm
Rugosidade da Superfície Frontal

< 0,2 nm (polido)；

ou < 0,3 nm (polido e tratamento de superfície para epitaxia)
Rugosidade da Superfície Traseira

0,5 ~1,5 μm

opção: 1~3 nm (solo fino);< 0,2 nm (polido)
Densidade de Deslocamento De 1 x 105para 3 x 106cm-2
Densidade de Defeito Macro 0 cm-2
Área Útil > 90% (exclusão de borda)
Pacote Embalado em um ambiente de sala limpa classe 100, em contêiner de 6 PCS, sob uma atmosfera de nitrogênio

 

Apêndice: O diagrama do ângulo de corte incorreto

5 X 10 mm2 Face M GaN Epitaxial Wafer Espessura 325um 375um 1

 

 

Se δ1= 0 ±0,5 grau, então o plano M (1-100) fora do ângulo em direção ao eixo A é 0 ±0,5 grau.

Se δ2= - 1 ±0,2 graus, então o plano M (1-100) fora do ângulo em direção ao eixo C é - 1 ±0,2 graus.

 

 

 

 

Sobre nós

Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.

 

 

Perguntas frequentes

Q: você está negociando empresa ou fabricante?
Nós somos fábrica.
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Geralmente leva de 3 a 5 dias se as mercadorias estiverem em estoque.
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Sim, podemos oferecer a amostra gratuitamente, mas não pagamos o custo do frete.
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Pagamento <=5000USD, 100% adiantado.
Pagadores >=5000USD, 80% T/T adiantado, saldo antes do envio.

etiqueta:

Bolacha de semicondutor do nitreto do gálio,

posição livre GaN Substrates,

diodo emissor de luz azul GaN Epitaxial Wafer

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Xiwen Bai (Ciel)

Telefone: +8613372109561

Envie sua pergunta diretamente para nós (0 / 3000)

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