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5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxial Wafer Un Dopado Si Tipo Gan Substrato Monocristal

Certificado
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificações
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5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxial Wafer Un Dopado Si Tipo Gan Substrato Monocristal

5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxial Wafer Un Dopado Si Tipo Gan Substrato Monocristal
5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxial Wafer Un Doped Si Type Gan Single Crystal Substrate
5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxial Wafer Un Dopado Si Tipo Gan Substrato Monocristal 5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxial Wafer Un Dopado Si Tipo Gan Substrato Monocristal

Imagem Grande :  5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxial Wafer Un Dopado Si Tipo Gan Substrato Monocristal

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Suzhou China
Marca: GaNova
Certificação: UKAS/ISO9001:2015
Número do modelo: JDCD01-001-018
Condições de Pagamento e Envio:
Detalhes da embalagem: Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 6 peças ou recipientes d
Tempo de entrega: 3-4 dias da semana
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 10000pcs/Month

5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxial Wafer Un Dopado Si Tipo Gan Substrato Monocristal

descrição
Nome do produto: GaN Single Crystal Substrate autônomo Dimensões: ² de 5 x10mm
Espessura: 350 ±25µm TTV: ≤ 10µm
Curva: - ≤ 10µm da CURVA do ≤ de 10µm Densidade de deslocação: Do ⁵ 1 x 10 ao ² do cm⁻ de 3 x 10 ⁶
Destacar:

5x10

,

5mm2 GaN Epitaxial Wafer

,

Un Doped Epitaxial Wafer ISO

5*10mm2Face SP (20-21)/(20-2-1) Tipo SI não dopado Substrato monocristal de GaN independente Resistividade > 106Wafer de dispositivos de RF de Ω·cm

 


Visão geral
Diferentes tipos de redes adversárias generativas (GANs)

DC GAN – É um GAN convolucional profundo....
GAN condicional e GAN incondicional (CGAN) – GAN condicional é uma rede neural de aprendizado profundo na qual alguns parâmetros adicionais são usados.

 

 

(20-21)/(20-2-1) face Free-standeung GaN Substrates
Item

GaN-FS-SP-US

GaN-FS-SP-NS

GaN-FS-SP-SI-S

 

 

 

 

 

 

 

5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxial Wafer Un Dopado Si Tipo Gan Substrato Monocristal 0

 

Observações:

Um ângulo de arco circular (R < 2 mm) é usado para distinguir a superfície frontal e posterior.

Dimensões 5 x 10 mm2
Grossura 350 ±25 µm
Orientação

(20-21)/(20-2- 1) plano fora do ângulo em direção ao eixo A 0 ±0,5°

(20-21)/(20-2- 1) plano fora do ângulo em direção ao eixo C - 1 ±0,2°

Tipo de Condução tipo N tipo N Semi-isolante
Resistividade (300K) < 0,1 Ω·cm < 0,05 Ω·cm > 106Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
ARCO - 10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm
Rugosidade da Superfície Frontal

< 0,2 nm (polido);

ou < 0,3 nm (polido e tratamento de superfície para epitaxia)

Rugosidade da Superfície Traseira

0,5 ~1,5 μm

opção: 1~3 nm (solo fino);< 0,2 nm (polido)

Densidade de Deslocamento De 1 x 105para 3 x 106cm-2
Densidade de Defeito Macro 0 cm-2
Área Útil > 90% (exclusão de borda)
Pacote Embalado em um ambiente de sala limpa classe 100, em contêiner de 6 PCS, sob uma atmosfera de nitrogênio

 

Apêndice: O diagrama do ângulo de corte incorreto

5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxial Wafer Un Dopado Si Tipo Gan Substrato Monocristal 1

 

Se δ1= 0 ±0,5°, então (20-21)/(20-2- 1) plano fora do ângulo em direção ao eixo A é 0 ±0,5°.

Se δ2= - 1 ±0,2°, então (20-21)/(20-2- 1) plano fora do ângulo em direção ao eixo C é - 1 ±0,2°.

 

Sobre nós

Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.

 

 

Perguntas frequentes

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Pagadores >=5000USD, 80% T/T adiantado, saldo antes do envio.

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Xiwen Bai (Ciel)

Telefone: +8613372109561

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