N-tipo diodo emissor de luz Si-lubrificado de 4 polegadas de GaN On Sapphire Wafer SSP Resistivity<0.05 Ω cm, laser, PIN Epitaxial Wafer

N-tipo GaN Si-lubrificado de 4 polegadas no diodo emissor de luz da bolacha SSP resistivity<0.05 Ω cm da safira, laser, bolacha epitaxial do PIN

Para GaN levemente Si-lubrificado ( 1016 do   do × do   [do si] = do   do   2,1 cm ⁻³), a mobilidade de elétron da temperatura ambiente (RT) era tão alta quanto os cm2 1008 do   s ^{−1 do}   V ^{−1 do}  , que foi limitado dominantemente pela dispersão ótica polar do fonão. Além disso, nós encontramos que GaN pesadamente Si-lubrificado preparado usando PSD exibiu uma mobilidade do RT tão altamente quanto 110 cm2 de   s ^{−1 do}   V ^{−1 do}   em uma concentração do elétron do   1020 do   do × de 2   cm ⁻³, que indicasse que a resistividade deste filme era quase tão pequena quanto aquelas de óxidos condutores transparentes típicos tais como o óxido da lata do índio.

Em umas mais baixas temperaturas, a mobilidade de elétron aumentou aos cm2 1920 do   s ^{−1 do}   V ^{−1 do}   136 no   K, e a dependência da temperatura foi explicada bem por modelos convencionais da dispersão. Estes resultados indicam que GaN Si-lubrificado preparado usando PSD está prometendo não somente para a fabricação de dispositivos de poder GaN-baseados mas igualmente para o uso como materiais transparentes epitaxial do elétrodo para dispositivos óticos baseados nitreto.

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Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.

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