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Detalhes do produto:
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| Espessura: | 0.6~0.8mm | Nome do produto: | Único Crystal Substrate |
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| Orientação: | (101) | Superfície lustrada: | Único lado lustrado |
| FWHM: | <350arcsec> | Ra: | ≤0.5nm |
10x10mm2(010)Sn-dopado Substrato de cristal único Ga2O3 independente Grau de produto Polimento único Espessura 0,6~0,8mm FWHM＜350arcsec, Ra≤0,5nm Resistência 1,53E+18Ω/cm-3 Dispositivos optoeletrônicos, camadas isolantes de materiais semicondutores e filtros UV
Embora os dispositivos baseados em silício tenham sido capazes de produzir dispositivos relativamente eficientes, as características aprimoradas do nitreto de gálio dão aos semicondutores GaN a vantagem de perder muito menos energia para o calor.O amplo bandgap permite que os dispositivos GaN sustentem temperaturas muito mais altas do que o silício, permitindo um nível mais alto de eficiência energética para seus dispositivos favoritos em geral.
| Substrato de nitreto de gálio -- Nível de pesquisa | ||
| Dimensão | 10*15mm | 10*10mm |
| Grossura | 0,6~0,8mm | |
| Orientação | (010) | |
| Doping | Sn | |
| superfície polida | Único lado polido | |
| Resistividade/Nd-Na | 2.00E+17 | 1.53E+18 |
| FWHM | <350 segundos de arco | |
| Rá | ≤ 0,5 nm | |
| Pacote | Embalado em um ambiente de sala limpa classe 100, sob uma atmosfera de nitrogênio | |
Sobre nós
Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.
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