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Ga2O3 Fe Wafer dopado Substrato monocristal 10x10mm2 independente

Certificado
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificações
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Ga2O3 Fe Wafer dopado Substrato monocristal 10x10mm2 independente

Ga2O3 Fe Wafer dopado Substrato monocristal 10x10mm2 independente
Ga2O3 Fe Wafer dopado Substrato monocristal 10x10mm2 independente

Imagem Grande :  Ga2O3 Fe Wafer dopado Substrato monocristal 10x10mm2 independente

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Suzhou China
Marca: GaNova
Certificação: UKAS/ISO9001:2015
Número do modelo: JDCD04-001-001
Condições de Pagamento e Envio:
Detalhes da embalagem: Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 6 peças ou recipientes d
Tempo de entrega: 3-4 dias da semana

Ga2O3 Fe Wafer dopado Substrato monocristal 10x10mm2 independente

descrição
FWHM: <350arcsec> Superfície lustrada: Único lado lustrado
Espessura: 0.6~0.8mm Nome do produto: Único Crystal Substrate
Ra: ≤0.3nm Pacote: Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, sob uma atmosfera do nitrogênio
Destacar:

Wafer dopado com Fe Ga2O3

,

substrato Ga2O3 de cristal único

,

wafer dopado com Fe 10x10mm2

10x10mm2(-201) Substrato monocristal de Ga2O3 livre dopado com Fe Produto com polimento simples Espessura 0,6~0,8 mm FWHM<350arcsec,Ra≤0,3 nm Dispositivos optoeletrônicos, camadas isolantes de materiais semicondutores e filtros UV

 

 

Ga2O3tem uma longa história e os equilíbrios de fase do Al2O3-Ga2O3O sistema -H2O foi relatado pela primeira vez em 1952 1 , no qual os polimorfos (ou seja, diferentes formas ou estruturas cristalinas) de Ga2O3e suas regiões de estabilidade também foram identificadas.

Existem cinco polimorfos comumente identificados de Ga2O3, rotulados como α, β, γ, δ e ε 2-10.Estes são conhecidos, respectivamente, como corindo (α), monoclínico (β), espinélio defeituoso (γ), ortorrômbico (ε), sendo a fase δ comumente aceita como sendo uma forma da fase ortorrômbica.

 

 

Substrato de nitreto de gálio -- Nível do produto
Dimensões 10*15mm 10*10mm
Grossura 0,6~0,8mm
Orientação (201)
Doping Sn
superfície polida Único lado polido
Resistividade/Nd-Na / <9E18
FWHM <350 segundos de arco
≤0,3nm
Pacote Embalado em um ambiente de sala limpa classe 100, sob uma atmosfera de nitrogênio

 

 

Sobre nós

Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.

 

 

Perguntas frequentes

Q: você está negociando empresa ou fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é o seu tempo de entrega?
Geralmente leva de 3 a 5 dias se as mercadorias estiverem em estoque.
ou leva de 7 a 10 dias se as mercadorias não estiverem em estoque, é de acordo com a quantidade.
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Sim, podemos oferecer a amostra gratuitamente, mas não pagamos o custo do frete.
Q: Quais são as suas condições de pagamento?
Pagamento <=5000USD, 100% adiantado.
Pagamento >=5000USD, 80% T/T adiantado, saldo antes do envio.

 

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Xiwen Bai (Ciel)

Telefone: +8613372109561

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