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Bolacha Ga2O3

CHINA Bolacha Ga2O3

JDCD04-001-003 10x10mm2 100(Off 6°) Fe-Doped Free-Standing Ga2O3 Substrato Monocristal Grau de Produto Polimento Simples

Espessura:0.6~0.8mm

Nome do produto:Único Crystal Substrate

Orientação:（100）fora de 6°

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sobre

GaN Epitaxial Wafer: o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI; O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm; Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Bolacha sic Epitaxial: Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um; Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um; Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara

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