JDCD08-001-002 2 polegadas A-Plano Sapphire Substrate Wafer

Name: JDCD08-001-002 2 polegadas A-Plano Sapphire Substrate Wafer
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDCD08-001-002
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

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JDCD08-001-002 2 polegadas A-Plano Sapphire Substrate Wafer

Imagem Grande : JDCD08-001-002 2 polegadas A-Plano Sapphire Substrate Wafer

Detalhes do produto:

Número do modelo:	JDCD08-001-002

Condições de Pagamento e Envio:

Detalhes da embalagem:	Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 25 peças ou recipientes
Termos de pagamento:	T/T

Contato

JDCD08-001-002 2 polegadas A-Plano Sapphire Substrate Wafer

descrição

Orientação de superfície:	Um-plano (11-20)	Espessura:	430 μm do ± 10
R-plano:	R9	Diâmetro:	50.8±0.10mm
Material:	Pureza alta Al2O3 (>99.995%)
Destacar:	Wafer de substrato de safira de plano A , 2 polegadas Sapphire Substrate Wafer , Sapphire Substrate Wafer

JDCD08-001-002 A-Plane Sapphire Substrato Wafer de 2 polegadas

A alta pureza e resistência da safira é um material excelente e aceito pela indústria para a fabricação de semicondutores.Sua durabilidade e resistência a arranhões tornam o Sapphire ideal para ambientes de vácuo e alta resistência a plasma para resistir à corrosão.
A safira é um cristal de óxido com uma alta condutividade térmica comparável à do aço inoxidável à temperatura ambiente.

Parâmetros	Especificação
Parâmetros	Unidade	Alvo	Tolerância
Material	Al2O3 de alta pureza (＞99,995%)
Diâmetro	milímetros	50,8	±0,10
Grossura	μm	430	±10
Orientação da Superfície	Plano A(11-20)
- Fora do ângulo em direção ao eixo M	grau	0,00	±0,10
-Fora do ângulo em direção ao eixo A	grau	0,00	±0,10
Orientação Plana	Plano C (0001)
-Ângulo de deslocamento plano	grau	0,0	±0,2
Comprimento plano	milímetros	16,0	±1
Plano R	R9
Rugosidade da superfície frontal (Ra)	nm	＜0,3
Rugosidade da superfície posterior	μm	0,9~1,2μm
Qualidade da superfície frontal	Espelho polido, pronto para EPI
borda da bolacha	tipo R
Amplitude do chanfro	μm	80-160
Ângulo radiano incluído entre a borda plana e a borda redonda	milímetros	R=9
TTV	μm	≤5
LTV(5x5mm)	μm	≤1,5
Arco	μm	0~-5
Urdidura	μm	≤10
marca a laser		Como o cliente exigiu

Sobre nós

Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.

Perguntas frequentes

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