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p type silicon substrate fabricação online

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Comprar Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2 on-line fabricante

Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
Contato

Thk 430μm Sapphire Substrate Wafer Crystal Orientation C/M0.2, OF Length (Mm) 16 LED Chip JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 LED ... Leia mais
2023-02-17 10:18:05
Comprar Sapphire Substrate Wafer Thk plana 440um do comprimento (milímetro) microplaqueta de 16 diodos emissores de luz on-line fabricante

Sapphire Substrate Wafer Thk plana 440um do comprimento (milímetro) microplaqueta de 16 diodos emissores de luz
Contato

50mm Sapphire Substrate Wafer Thk 430μm OF Length (Mm) 16 LED Chip JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 LED chip,substrate material ... Leia mais
2022-09-27 16:24:09
Comprar Substrato monocristal de GaN de gálio, tipo N, de face livre, não dopado on-line fabricante

Substrato monocristal de GaN de gálio, tipo N, de face livre, não dopado
Contato

5*10.5mm2 A-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Power density is greatly improved in gallium nitride devices compared to ... Leia mais
2023-02-17 11:02:58
Comprar M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um on-line fabricante

M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um
Contato

5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Gallium Nitride (GaN) substrate is a high-quality single-crystal substrate. ... Leia mais
2022-10-08 17:04:46
Comprar Polimento Optoeletrônico Cristal de Safira Wafer Tipo R on-line fabricante

Polimento Optoeletrônico Cristal de Safira Wafer Tipo R
Contato

Thk 430μm 50mm Sapphire Substrate Wafer Crystal Orientation C/M0.2, OF Length (Mm) 16 LED Chip JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 ... Leia mais
2023-02-17 11:22:48
Comprar JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe dopado em pé livre Ga2O3 Substrato de cristal único Grau de produto Polido único on-line fabricante

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe dopado em pé livre Ga2O3 Substrato de cristal único Grau de produto Polido único
Contato

10x10mm2 100(off 6°) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤5nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Leia mais
2025-04-27 11:43:51
Comprar 5x10mm2 GaN Epitaxial Wafer Un Dopado Tipo SI on-line fabricante

5x10mm2 GaN Epitaxial Wafer Un Dopado Tipo SI
Contato

5*10mm2 Free-Standing GaN Single Crystal Substrate (20-21)/(20-2-1) Un-Doped SI-Type 5*10mm2 SP-face (20-21)/(20-2-1) Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF ... Leia mais
2024-10-29 11:49:57
Comprar LEDs de substrato de arsenieto de gálio para comunicações ópticas on-line fabricante

LEDs de substrato de arsenieto de gálio para comunicações ópticas
Contato

2inch GaAs (100) Undoped Substrates Overview Gallium arsenide is used in the manufacture of light-emitting diode s (LEDs), which are found in optical communications and control systems. Gallium arsenide can ... Leia mais
2022-10-09 09:53:08
Comprar 0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm cristal de carboneto de silício tipo N on-line fabricante

0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm cristal de carboneto de silício tipo N
Contato

0.015~0.028ohm.Cm SiC Seed Crystal 4" P Grade N-Type Orientation 4.0°±0.2° SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC CRYSTAL is an ultra-high purity silicon carbide grain or powder, specially manufactured to achieve ... Leia mais
2022-09-27 17:01:16
Comprar Resistividade de cristal de carboneto de silício de grau P de 4&quot; 0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm on-line fabricante

Resistividade de cristal de carboneto de silício de grau P de 4" 0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm
Contato

4" P Grade SiC Seed Crystal Resistivity 0.015~0.028ohm.Cm 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC is an excellent thermal conductor. Heat will flow more readily through SiC than other semiconductor ... Leia mais
2022-09-27 17:35:24
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GaN Epitaxial Wafer

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Bolacha sic Epitaxial

Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um

Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um

Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara

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