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p type silicon substrate fabricação online

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Comprar Bolacha de semicondutor 380um do silicone da CZ 525um 625um on-line fabricante

Bolacha de semicondutor 380um do silicone da CZ 525um 625um
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Thickness(μm) 279 2-Inch Silicon Wafer Orientation ,, 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview Demand for semiconductors is seen as likely to ... Leia mais
2022-09-27 16:51:27
Comprar TTV ≤ 10μm A-Face não dopado de tipo N GaN monokristalino de sustrato independente Resistividade 0,1 Ω·cm Dispositivo de potência/Laser W on-line fabricante

TTV ≤ 10μm A-Face não dopado de tipo N GaN monokristalino de sustrato independente Resistividade 0,1 Ω·cm Dispositivo de potência/Laser W
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5*10mm2 A-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Gallium nitride (GaN) is a very hard, mechanically stable wide bandgap ... Leia mais
2025-04-27 11:43:51
Comprar Tipo 6inch 4H do SI do nível P que isola sic semi a carcaça 150mm on-line fabricante

Tipo 6inch 4H do SI do nível P que isola sic semi a carcaça 150mm
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P-Level SI-Type 6inch 4H-SiC Semi insulating substrate 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity≥1E9Ω·cm 6inch 4H-SiC substrate P-level SI-Type 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity≥1E9Ω·cm for power and microwave ... Leia mais
2022-10-24 10:21:46
Comprar Wafer epitaxial de 2 ′′ 6 polegadas tipo N GaN em safira para dispositivo PIN a laser LED on-line fabricante

Wafer epitaxial de 2 ′′ 6 polegadas tipo N GaN em safira para dispositivo PIN a laser LED
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Description: Epiaxial wafers refer to products formed by growing a new single crystal layer on a single crystal substrate. Epiaxial wafers determine about 70% of the performance of devices and are important raw ... Leia mais
2024-12-06 17:48:43
Comprar Substrato 350um 4H SiC on-line fabricante

Substrato 350um 4H SiC
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6inch 4H-SiC Substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm For Power And Microw 6inch 4H-SiC substrate N-Type Overview Silicon carbide (SiC) is a non-oxide ceramic ... Leia mais
2022-10-09 16:57:57
Comprar a Um-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única &lt; 0,05 Ω·dispositivo de poder do cm/laser on-line fabricante

a Um-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0,05 Ω·dispositivo de poder do cm/laser
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5*10mm2 A-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Power density is greatly improved in gallium nitride devices compared to ... Leia mais
2025-04-04 22:43:36
Comprar 4H Politype único Crystal Silicon Carbide 4&quot; cara do si da categoria de P on-line fabricante

4H Politype único Crystal Silicon Carbide 4" cara do si da categoria de P
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JDZJ01-001-001 SiC Seed Crystal 4" P Grade Si-Face 90°Cw.From Primary Flat±5° SiC Seed Crystal 4" PGrade The physical and electronic properties of SiC make it the foremost semiconductor material for short ... Leia mais
2022-09-27 17:01:35
Comprar Barreira de AlGaN 4 polegadas GaN em silicone HEMT Epi wafer nitruro de gálio GaN-on-Si on-line fabricante

Barreira de AlGaN 4 polegadas GaN em silicone HEMT Epi wafer nitruro de gálio GaN-on-Si
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Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Leia mais
2024-12-06 17:33:44
Comprar 6 polegadas GaN em silício HEMT Epi Wafer Power Device Nitreto de gálio GaN em Si on-line fabricante

6 polegadas GaN em silício HEMT Epi Wafer Power Device Nitreto de gálio GaN em Si
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Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Leia mais
2024-12-06 17:38:23
Comprar GaN laser violeta no silício 2 polegadas GaN no silício HEMT Epi wafer UV LD Epi wafer on-line fabricante

GaN laser violeta no silício 2 polegadas GaN no silício HEMT Epi wafer UV LD Epi wafer
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Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Leia mais
2024-12-06 17:35:32
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GaN Epitaxial Wafer

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Bolacha sic Epitaxial

Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um

Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um

Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara

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