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p type silicon substrate fabricação online

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Comprar 2 polegadas de GaN no silício azul LD Epi Wafer GaN laser azul no silício on-line fabricante

2 polegadas de GaN no silício azul LD Epi Wafer GaN laser azul no silício
Contato

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Leia mais
2024-12-06 17:35:32
Comprar A Plana Orientação da Superfície Safira Wafer Espelho Polido Pronto para EPI on-line fabricante

A Plana Orientação da Superfície Safira Wafer Espelho Polido Pronto para EPI
Contato

A-Plane(11-20) Surface Orientation Sapphire Wafer Front Surface Quality Mirror Polished,EPI-Ready JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 ... Leia mais
2023-02-17 10:18:27
Comprar Posição livre U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 milímetros 350 um on-line fabricante

Posição livre U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 milímetros 350 um
Contato

2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates 50.8 ± 1 mm 350 ± 25 μm 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN ... Leia mais
2022-10-08 17:12:14
Comprar bolacha de semicondutor do nitreto do gálio de 50.8mm uma posição livre de 2 polegadas on-line fabricante

bolacha de semicondutor do nitreto do gálio de 50.8mm uma posição livre de 2 polegadas
Contato

50.8 ± 1 mm 2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates (1-100) ± 0.5o, 16 ± 1 mm 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer ... Leia mais
2022-10-08 17:22:16
Comprar laser MG-lubrificado 4-Inch PIN Epitaxial Wafer do diodo emissor de luz de GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm on-line fabricante

laser MG-lubrificado 4-Inch PIN Epitaxial Wafer do diodo emissor de luz de GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm
Contato

4 inch P-type Mg-doped GaN on sapphire wafer SSP resistivity~10Ω cm LED, laser, PIN epitaxial wafer Why Use GaN Wafers? Gallium Nitride on sapphire is the ideal material for radio energy amplification. It ... Leia mais
2025-04-04 22:43:47
Comprar o espelho de 50mm Sapphire Wafer R9 lustrou o tipo pronto da borda R da bolacha de EPI on-line fabricante

o espelho de 50mm Sapphire Wafer R9 lustrou o tipo pronto da borda R da bolacha de EPI
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High Purity Al2O3＞99.995% R9 Mirror Polished EPI-Ready Wafer edge R-type JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 LED chip,substrate ... Leia mais
2023-02-17 10:17:17
Comprar bolacha 6inch sic Epitaxial on-line fabricante

bolacha 6inch sic Epitaxial
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P-SBD Grade 6inch 4H-SiC substrate N-Type Off-Axis:4°toward ±0.5 ° 6inch 4H-SiC Substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μM MPD≤0.5/Cm2 Resistivity 0.015Ω•Cm—0.025Ω•cm For Power And Microw 6inch 4H-SiC substrate ... Leia mais
2022-10-09 16:56:20
Comprar 47,5 milímetros de ± bolacha sic Epitaxial 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm to&lt;11-20&gt;±1° paralelo de 1,5 milímetros on-line fabricante

47,5 milímetros de ± bolacha sic Epitaxial 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° paralelo de 1,5 milímetros
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47.5 mm ± 1.5 mm SiC Epitaxial Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm Parallel to±1° JDCD03-001-003 Overview Currently, there are two main types of SiC wafers. The first type is the polished wafer, which is a single ... Leia mais
2024-10-29 11:49:58
Comprar 4H bolacha sic Epitaxial 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm do Cm ≤4000/cm on-line fabricante

4H bolacha sic Epitaxial 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm do Cm ≤4000/cm
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4H SiC Epitaxial Wafer 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm ≤4000/cm2 150.0 mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-003 Overview The next type is beta silicon carbide. Beta SiC is produced at temperatures higher than 1700 degrees Celsius. ... Leia mais
2024-10-29 11:49:58
Comprar Dispositivo de potência de 2 polegadas Transistor de alta mobilidade eletrônica Wafer epitaxial on-line fabricante

Dispositivo de potência de 2 polegadas Transistor de alta mobilidade eletrônica Wafer epitaxial
Contato

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Leia mais
2024-12-06 17:41:10
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GaN Epitaxial Wafer

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Bolacha sic Epitaxial

Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um

Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um

Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara

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