Pedir um orçamento |
Casa Produtosp type silicon substrate fabricante online
Todos os Produtos

GaN Epitaxial Wafer

(65)

Bolacha sic Epitaxial

(39)

GaAs Epi Wafer

(15)

Substratos de Diamante CVD

(15)

Sistema de recozimento térmico rápido

(2)

Testador de Sensor de Efeito Hall

(3)

Bolacha do nitreto de alumínio

(21)

Microplaqueta do diodo láser

(10)

Cristal do carboneto de silicone

(12)

Bolacha Ga2O3

(13)

bolacha de silicone

(26)

Sapphire Wafer

(19)

Sapphire Substrates modelada

(10)

Suporte da bolacha do

(1)

Máquina de cortar bolacha

(5)
Certificado
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificações
Estou Chat Online Agora

p type silicon substrate fabricação online

(81)
Comprar JDWY01-001-004 filme grosso de 2 polegadas (2,3) um AIN na bolacha da safira, DSP, XRD FWHM (de 002) ≤100arcsec (102) ≤550arcsec on-line fabricante

JDWY01-001-004 filme grosso de 2 polegadas (2,3) um AIN na bolacha da safira, DSP, XRD FWHM (de 002) ≤100arcsec (102) ≤550arcsec
Contato

2 inch thick film (2,3)um AIN on sapphire wafer,DSP,XRD FWHM of(002)≤100arcsec(102) ≤550arcsec UV disinfection, LED chip Aluminum Nitride is also an excellent electrical insulator. It can be used in solar cells... Leia mais
2025-04-04 22:43:14
Page 9 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
sobre

GaN Epitaxial Wafer

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Bolacha sic Epitaxial

Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um

Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um

Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara

Deixe mensagem

Política de Privacidade | CHINA bom Qualidade GaN Epitaxial Wafer fornecedor. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.