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p type silicon substrate fabricação online

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Comprar cristal 4" do carboneto de silicone de 100.0mm categoria Politype 4H de P on-line fabricante

cristal 4" do carboneto de silicone de 100.0mm categoria Politype 4H de P
Contato

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 4.0°±0.2° Politype 4H SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than Si or GaAs without ... Leia mais
2022-10-09 10:12:00
Comprar cristal 4" do carboneto de silicone de 100.0mm categoria 18.0mm de P on-line fabricante

cristal 4" do carboneto de silicone de 100.0mm categoria 18.0mm de P
Contato

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 0.015~0.028ohm.cm 18.0mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade Electronic devices formed in SiC can operate at extremely high temperatures without suffering from intrinsic ... Leia mais
2022-09-27 17:01:26
Comprar Cristal liso preliminar 4" do carboneto de silicone do comprimento 32.5mm categoria 100.0mm de P on-line fabricante

Cristal liso preliminar 4" do carboneto de silicone do comprimento 32.5mm categoria 100.0mm de P
Contato

Primary Flat Lengh 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 100.0mm±0.5mm 0.015~0.028ohm.cm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than ... Leia mais
2022-09-27 17:01:05
Comprar Carcaças discretas P/P P/E E/POR EXEMPLO de superfície do si dos dispositivos de /G terminado on-line fabricante

Carcaças discretas P/P P/E E/POR EXEMPLO de superfície do si dos dispositivos de /G terminado
Contato

Discrete Devices 2-Inch Silicon Wafer P/E,P/P,E/E,G/G Surface Finished 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview Silicon is the second most common ... Leia mais
2022-09-27 16:53:50
Comprar 6 polegadas 4H SiC Substrato N Tipo P SBD Grau 350μm on-line fabricante

6 polegadas 4H SiC Substrato N Tipo P SBD Grau 350μm
Contato

6inch 4H-SiC substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview SiC boules (crystals) are grown, machined into ingots, and then sliced ... Leia mais
2022-10-24 10:23:04
Comprar 5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato de cristal único GaN de tipo N sem dopagem com TTV ≤ 10μm Resistividade 0,05 Ω·cm on-line fabricante

5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato de cristal único GaN de tipo N sem dopagem com TTV ≤ 10μm Resistividade 0,05 Ω·cm
Contato

5*10mm2 SP-face (10-11) Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN has many serious advantages over silicon, being more power ... Leia mais
2025-04-27 11:43:51
Comprar a SP-cara 5*10mm2 (10-11) Un-lubrificou o Si-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo &gt; 10 o ⁶ Ω·Dispositivo RF do Cm on-line fabricante

a SP-cara 5*10mm2 (10-11) Un-lubrificou o Si-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo > 10 o ⁶ Ω·Dispositivo RF do Cm
Contato

5*10mm2 SP-face (10-11) Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Now a new material called Gallium Nitride (GaN) has the potential to replace silicon ... Leia mais
2025-04-04 22:43:36
Comprar Bolacha de silicone 5&quot; da CZ do método do crescimento orientação &lt;1-0-0&gt;, &lt;1-1-1&gt;, &lt;1-1-0&gt; on-line fabricante

Bolacha de silicone 5" da CZ do método do crescimento orientação <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0>
Contato

Growth Method CZ Silicon Wafer Orientation ,, 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview Silicon wafers after cutting have sharp edges, and they ... Leia mais
2022-09-27 16:53:40
Comprar 350 ± 25 μm Espessura Substrato monocristalino GaN independente não dopado de tipo N, com TTV ≤ 10 μm e Resistividade 0,1 Ω·cm on-line fabricante

350 ± 25 μm Espessura Substrato monocristalino GaN independente não dopado de tipo N, com TTV ≤ 10 μm e Resistividade 0,1 Ω·cm
Contato

5*10mm2 SP-face (20-21)/(20-2-1) Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Gallium Nitride (GaN) substrate is a high-quality single... Leia mais
2025-04-27 11:43:51
Comprar 2&quot; principal μm &lt;10 Capabilities&lt;5um padrão da bolacha de silicone máximo on-line fabricante

2" principal μm <10 Capabilities<5um padrão da bolacha de silicone máximo
Contato

Prime 2" Silicon Wafer TTV(μm) Standard Leia mais
2022-09-27 16:52:11
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GaN Epitaxial Wafer

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Bolacha sic Epitaxial

Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um

Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um

Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara

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