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Bolacha sic Epitaxial

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Substrato 350um 4H SiC

Sic tipo carcaça de N

bolacha 6inch sic Epitaxial

CHINA Bolacha sic Epitaxial

150,0 mm +0 mm/-0,2 mm SiC Epitaxial Wafer 47,5 mm ± 1,5 mm

Nome do produto:Bolacha sic Epitaxial

Orientação de superfície:Fora-linha central: ° de 4°toward <11-20>±0.5

Comprimento liso preliminar:± 1.5mm de 47.5mm
Substrato SiC de 2 polegadas 350μm para eletrônica de potência exigente

Crystal Form:4h

Nome do produto:especificação da carcaça do carboneto do diameterSilicon 2inch (sic)

Diâmetro:50.8mm±0.38mm
0.015Ω•cm-0.025Ω•da C-cara sic Epitaxial da bolacha do cm CMP polonês ótico da Si-cara

Nome do produto:especificação da carcaça do carboneto de silicone de 6 polegadas de diâmetro (sic)

Orientação lisa preliminar:{10-10} ±5.0°

Crystal Form:4h
Sem substrato de SiC plano secundário 150,0 mm 47,5 mm

Crystal Form:4h

Nome do produto:Bolacha sic Epitaxial

Diâmetro:150.0mm +0mm/-0.2mm
Politipo Nenhum Permitido SiC Epitaxial Wafer P-MOS P-SBD D Grau

Nome do produto:Bolacha sic Epitaxial

Comprimento liso preliminar:± 1.5mm de 47.5mm

Diâmetro:150.0mm +0mm/-0.2mm
Substrato de carboneto de silício de 260 μm nível P para dispositivos de energia e dispositivos de micro-ondas

Crystal Form:4h

Nome do produto:Bolacha sic Epitaxial

Diâmetro:150.0mm +0mm/-0.2mm
150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm Forma de cristal SiC Epitaxial Wafer 4H

Diâmetro:150.0mm +0mm/-0.2mm

Nome do produto:Bolacha sic Epitaxial

Orientação de superfície:Fora-linha central: ° de 4°toward <11-20>±0.5
P MOS Grade 2 avança sic o SBD do nível P P da bolacha de Epi classifica a categoria 150.0mm de D

Crystal Form:4h

Nome do produto:Bolacha sic Epitaxial

Diâmetro:150.0mm +0mm/-0.2mm
4H bolacha sic Epitaxial ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm

Nome do produto:Bolacha sic Epitaxial

Crystal Form:4h

Polytype:Nenhuns permitiram
Nível P 260μm da bolacha de semicondutor de 2 polegadas para dispositivos da micro-ondas dos dispositivos de poder

Crystal Form:4h

Nome do produto:Bolacha sic Epitaxial

Diâmetro:150.0mm +0mm/-0.2mm
4H SiC Epitaxial Wafer SiC Wafer Substrato Para Dispositivos Fotônicos ISO9001

Nome do produto:Bolacha sic Epitaxial

Crystal Form:4h

Diâmetro:150,0 milímetros +0mm/-0.2mm
Substrato tipo 4H SiC N de 6 polegadas 47,5 mm Sem plano secundário

Crystal Form:4h

Contaminação de Superfície Metálica:(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) ≤1E11cm⁻²

Nome do produto:Bolacha sic Epitaxial

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150,0 mm +0 mm/-0,2 mm SiC Epitaxial Wafer 47,5 mm ± 1,5 mm

Substrato SiC de 2 polegadas 350μm para eletrônica de potência exigente

0.015Ω•cm-0.025Ω•da C-cara sic Epitaxial da bolacha do cm CMP polonês ótico da Si-cara

Sem substrato de SiC plano secundário 150,0 mm 47,5 mm

Politipo Nenhum Permitido SiC Epitaxial Wafer P-MOS P-SBD D Grau

Substrato de carboneto de silício de 260 μm nível P para dispositivos de energia e dispositivos de micro-ondas

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm Forma de cristal SiC Epitaxial Wafer 4H

P MOS Grade 2 avança sic o SBD do nível P P da bolacha de Epi classifica a categoria 150.0mm de D

4H bolacha sic Epitaxial ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm

Nível P 260μm da bolacha de semicondutor de 2 polegadas para dispositivos da micro-ondas dos dispositivos de poder

4H SiC Epitaxial Wafer SiC Wafer Substrato Para Dispositivos Fotônicos ISO9001

Substrato tipo 4H SiC N de 6 polegadas 47,5 mm Sem plano secundário

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Bolacha sic Epitaxial

Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um

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Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara