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Bolacha sic Epitaxial

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Substrato 350um 4H SiC

Sic tipo carcaça de N

bolacha 6inch sic Epitaxial

CHINA Bolacha sic Epitaxial

Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara

Nome do produto:Bolacha sic Epitaxial

Crystal Form:4h

Revestimento de superfície:C-cara: Polonês ótico, Si-cara: CMP
Substrato 4H-SiC de 4 polegadas Nível P Tipo N 350,0±25,0μM MPD≤0,5/Cm2 Resistividade 0,015Ω•Cm—0,025Ω•Cm

Nome do produto:Bolacha sic Epitaxial

Crystal Form:4h

Diâmetro:100,0 mm+0,0/-0,5 mm
Dispositivo de potência de 2 polegadas Transistor de alta mobilidade eletrônica Wafer epitaxial

Dimensões:2 polegadas

Resistividade ((300K):< 350 Ω/□

Concentração de elétrons:> 1800 cm2/v
2 polegadas de GaN em silicone HEMT Epi wafer para dispositivo de energia

Dimensões:2 polegadas

Resistividade ((300K):< 350 Ω/□

Concentração de elétrons:> 1800 cm2/v
6 polegadas GaN em silício HEMT Epi Wafer Power Device Nitreto de gálio GaN em Si

Dimensões:15 cm

Resistividade ((300K):< 350 Ω/□

Concentração de elétrons:> 9,0E12 cm-2
Blue LED GaN em Wafer de Silício Blue Laser GaN Wafer Epitaxial

Dimensão:2 a 4 polegadas

Quantidade de ordem mínima:5

Detalhes da embalagem:Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, no recipiente 25PCS, sob uma atmosfer
2 polegadas de GaN em silicone verde LED Epi wafer Nitreto de gálio em silício

Dimensão:2 polegadas

Quantidade de ordem mínima:5

Detalhes da embalagem:Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, no recipiente 25PCS, sob uma atmosfer
2 polegadas de GaN no silício azul LD Epi Wafer GaN laser azul no silício

Dimensão:2 polegadas

Quantidade de ordem mínima:5

Detalhes da embalagem:Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, no recipiente 25PCS, sob uma atmosfer
GaN laser violeta no silício 2 polegadas GaN no silício HEMT Epi wafer UV LD Epi wafer

Dimensões:2 polegadas

IQE:desconhecido

Perda interna:desconhecido
Barreira de AlGaN 4 polegadas GaN em silicone HEMT Epi wafer nitruro de gálio GaN-on-Si

Dimensões:2 polegadas

Resistividade ((300K):< 350 Ω/□

Concentração de elétrons:> 9,0E12 cm-2
4 polegadas de UGaN em nitruro de gálio de silício não dopado em Wafer Epitaxial de silício

Dimensão:4inch

Bicristalino002:< 550 arcsec

Bicristalino102:< 550 arcsec
4 polegadas GaN em silicone verde LED Epi wafer Wafer SiC epitaxial

Quantidade de ordem mínima:5

Preço:1000

Detalhes da embalagem:Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, no recipiente 25PCS, sob uma atmosfer

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2 polegadas de GaN em silicone HEMT Epi wafer para dispositivo de energia

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2 polegadas de GaN em silicone verde LED Epi wafer Nitreto de gálio em silício

2 polegadas de GaN no silício azul LD Epi Wafer GaN laser azul no silício

GaN laser violeta no silício 2 polegadas GaN no silício HEMT Epi wafer UV LD Epi wafer

Barreira de AlGaN 4 polegadas GaN em silicone HEMT Epi wafer nitruro de gálio GaN-on-Si

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