CHINA Bolacha sic Epitaxial

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  4 polegadas GaN em silicone verde LED Epi wafer Wafer SiC epitaxial

  Quantidade de ordem mínima:5

  Preço:1000

  Detalhes da embalagem:Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, no recipiente 25PCS, sob uma atmosfer

  contacto
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  SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity≥1E5Ω do nível P da carcaça de 4inch 4H-SiC·cm para o poder e a micro-ondas

  Nome do produto:Bolacha sic Epitaxial

  Diâmetro:100,0 mm+0,0/-0,5 mm

  Orientação de superfície:{0001}±0,2°

  contacto
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  Substrato 4H-SiC de 4 polegadas Nível P SI 500,0±25,0μM MPD≤0,3/Cm2 Resistividade≥1E9Ω·Cm Para energia e micro-ondas

  Nome do produto:Bolacha sic Epitaxial

  Diâmetro:100,0 mm+0,0/-0,5 mm

  Orientação de superfície:{0001}±0,2°

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