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Bolacha sic Epitaxial

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CHINA Bolacha sic Epitaxial

4 polegadas de UGaN em nitruro de gálio de silício não dopado em Wafer Epitaxial de silício

Dimensão:4inch

Bicristalino002:< 550 arcsec

Bicristalino102:< 550 arcsec
4 polegadas GaN em silicone verde LED Epi wafer Wafer SiC epitaxial

Quantidade de ordem mínima:5

Preço:1000

Detalhes da embalagem:Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, no recipiente 25PCS, sob uma atmosfer
4 polegadas GaN em silicone verde LED Epi wafer Wafer SiC epitaxial

Quantidade de ordem mínima:5

Preço:1000

Detalhes da embalagem:Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, no recipiente 25PCS, sob uma atmosfer

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sobre

GaN Epitaxial Wafer: o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI; O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm; Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Bolacha sic Epitaxial: Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um; Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um; Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara

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