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Detalhes do produto:
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| Destacar: | Orifício epitaxial de 4 polegadas,Orifício de 4 polegadas SIC Epi,Wafers de 4 polegadas |
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|---|---|---|---|
IntroduçãoGaN em wafer Epi LED verde de silício
GaN em Silicon Green LED Epi wafer são estruturas de semicondutores formadas em materiais de substrato de silício através de tecnologia de crescimento epitaxial para fabricação de diodos emissores de luz verdes (LEDs).É um material intermediário essencial na fabricação de chips LED, e a sua estrutura e desempenho afetam directamente a eficiência luminosa, o comprimento de onda e outras características do dispositivo LED final.
Área de aplicação
Tecnologia de exibição:No domínio dos ecrãs de visualização a cores, são utilizadas bolhas de LEDs epitaxial verde à base de silício para a fabricação de pixels verdes,que, juntamente com os pixels LED vermelhos e azuis, formam a unidade básica do ecrã a coresA sua excelente uniformidade de comprimento de onda e a sua elevada eficiência luminosa permitem a criação de ecrãs de alta resolução e saturação de cores.para o fabrico de ecrãs de LED de pequena distância e de ecrãs de micro-LED, as wafers epitaxial LED verdes à base de silício desempenham um papel importante e podem ser utilizadas para ecrãs de alta definição interiores e exteriores, e para ecrãs de dispositivos de realidade virtual (RE) e realidade aumentada (RE),e outros cenários.
Campo de iluminação:Como um componente importante das fontes de iluminação verde, as objetivas epitaxial verde LED à base de silício podem ser usadas para fabricar luminárias com alta renderização de cores.Combinando com outros LEDs coloridos, a temperatura da cor e as funções de ajuste de cor podem ser alcançadas para atender às necessidades de iluminação de diferentes cenários, como iluminação doméstica, iluminação comercial, iluminação de automóveis, etc.
Comunicação óptica:Na tecnologia de comunicação de luz visível (VLC) de comunicação óptica, o LED verde pode ser usado como fonte de emissão de sinal.O desempenho de modulação de alta velocidade e a alta eficiência luminosa das wafers epitaxial LED verdes à base de silício são propícios para alcançar uma comunicação de luz visível de alta velocidade e eficiente., e pode ser aplicado na transmissão de dados de alta velocidade em ambientes internos, na comunicação veículo a veículo em sistemas inteligentes de transporte e em outros cenários.
Especificações do produto
| 2 a 4 polegadas Green-LED GaN em silício | |||||||||
| Posição Si ((111) substratos | Reservatório Al ((Ga) N | UGAN | nGaN | MQW ((1-3 pares) | AlGaN | pGaN | Camada de contacto | ||
| InGaN-QW | GaN-QB | ||||||||
| Dimensões | 2 polegadas, 4 polegadas | ||||||||
| 520 ± 10 nm | |||||||||
| Espessura | 800 nm | 1000 nm | 3000 nm | ~ 3nm | ~ 10 nm | 35 nm | 145 nm | 20 nm | |
| Composição | Al% | / | / | / | / | / | - 15. | / | / |
| Em % | / | / | / | ~ 25 | / | / | / | / | |
| Doping | [Si] | / | / | 8.0E+18 | / | 2.0E+17 | / | / | / |
| [Mg] | / | / | / | / | / | 1.0E+20 | 3.0E+19 | 2.0E+20 | |
| Estrutura do substrato | 20nmCapa de contacto/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si(111) substratos | ||||||||
| Pacote | Embalado num ambiente de sala limpa da classe 100, num recipiente de 25 PCS, sob uma atmosfera de nitrogénio | ||||||||
Sobre nós
Somos especializados no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e componentes de vidro óptico personalizados amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também temos trabalhado em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras., instituições de investigação e empresas, fornecem produtos e serviços personalizados para os seus projectos de I&D.É a nossa visão para manter uma boa relação de cooperação com todos os nossos clientes pela nossa boa reputação.
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