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n type sic crystal fabricação online

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Comprar 6 polegadas 4H SiC Substrato N Tipo P SBD Grau 350μm on-line fabricante

6 polegadas 4H SiC Substrato N Tipo P SBD Grau 350μm
Contato

6inch 4H-SiC substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview SiC boules (crystals) are grown, machined into ingots, and then sliced ... Leia mais
2022-10-24 10:23:04
Comprar Substrato tipo 4H SiC N de 6 polegadas 47,5 mm Sem plano secundário on-line fabricante

Substrato tipo 4H SiC N de 6 polegadas 47,5 mm Sem plano secundário
Contato

6inch 4H-SiC Substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μc MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm For Power And Microw 6inch 4H-SiC substrate N-Type Overview SiC boules (crystals) are grown, machined into ... Leia mais
2022-10-24 10:26:17
Comprar 150mm 4H SiC Substrato semi-isolante Wafer 6 polegadas 350μm on-line fabricante

150mm 4H SiC Substrato semi-isolante Wafer 6 polegadas 350μm
Contato

6inch 4H-SiC substrate D-level SI-Type 350.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity≥1E5Ω·cm for power and microwave devices Overview Sized for improved production With the 150 mm wafer size, we offer manufacturers the ... Leia mais
2022-10-24 10:22:12
Comprar 4H bolacha sic Epitaxial 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm do Cm ≤4000/cm on-line fabricante

4H bolacha sic Epitaxial 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm do Cm ≤4000/cm
Contato

4H SiC Epitaxial Wafer 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm ≤4000/cm2 150.0 mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-003 Overview The next type is beta silicon carbide. Beta SiC is produced at temperatures higher than 1700 degrees Celsius. ... Leia mais
2024-10-29 11:49:58
Comprar Sic tipo carcaça de N on-line fabricante

Sic tipo carcaça de N
Contato

6inch 4H-SiC Substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm For Power And Microw 6inch 4H-SiC substrate N-Type Overview Currently silicon carbide (SiC) is widely used for ... Leia mais
2022-10-09 16:57:15
Comprar 6 polegadas Tipo N Wafer P MOS Grau 4H SiC Substrato 350,0 ± 25,0um on-line fabricante

6 polegadas Tipo N Wafer P MOS Grau 4H SiC Substrato 350,0 ± 25,0um
Contato

6inch 4H-SiC substrate N-Type P-MOS Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.2/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview SiC is used for the fabrication of very high-voltage and high-power ... Leia mais
2022-10-24 10:21:10
Comprar Substrato SiC de 2 polegadas 350μm para eletrônica de potência exigente on-line fabricante

Substrato SiC de 2 polegadas 350μm para eletrônica de potência exigente
Contato

P-Level 2-Inch SiC Substrate 4H-N/SI260μm±25μm For Demanding Power Electronics JDCD03-001-001 2-inch SiC substrate P-level 4H-N/SI260μm±25μm for power devices and microwave devices Overview High crystal quality ... Leia mais
2024-10-29 11:49:58
Comprar 0.015Ω•cm-0.025Ω•da C-cara sic Epitaxial da bolacha do cm CMP polonês ótico da Si-cara on-line fabricante

0.015Ω•cm-0.025Ω•da C-cara sic Epitaxial da bolacha do cm CMP polonês ótico da Si-cara
Contato

0.015Ω•cm—0.025Ω•cm SiC Epitaxial Wafer C-Face:Optical Polish,Si-Face CMP Overview A SiC wafer is a semiconductor material made of silicon. A silicon carbide wafer is a crystalline material that is made by ... Leia mais
2024-10-29 11:49:58
Comprar Substrato 350um 4H SiC on-line fabricante

Substrato 350um 4H SiC
Contato

6inch 4H-SiC Substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm For Power And Microw 6inch 4H-SiC substrate N-Type Overview Silicon carbide (SiC) is a non-oxide ceramic ... Leia mais
2022-10-09 16:57:57
Comprar Tipo N 6 polegadas 4H Substrato de carboneto de silício Comprimento plano primário 47,5 mm on-line fabricante

Tipo N 6 polegadas 4H Substrato de carboneto de silício Comprimento plano primário 47,5 mm
Contato

6inch 4H-SiC substrate N-Type D Grade 350.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity 0.014Ω•cm—0.028Ω•cm for power and microwave devices Overview Silicon Carbide (SiC) is a covalent network solid. If we look at its ... Leia mais
2022-10-24 10:22:34
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GaN Epitaxial Wafer

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Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um

Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um

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