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n type sic crystal fabricação online

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Comprar 4H Politype único Crystal Silicon Carbide 4" cara do si da categoria de P on-line fabricante

4H Politype único Crystal Silicon Carbide 4" cara do si da categoria de P
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JDZJ01-001-001 SiC Seed Crystal 4" P Grade Si-Face 90°Cw.From Primary Flat±5° SiC Seed Crystal 4" PGrade The physical and electronic properties of SiC make it the foremost semiconductor material for short ... Leia mais
2022-09-27 17:01:35
Comprar Substrato monocristal de GaN monocristal do tipo SI dopado com face C de 2 polegadas Resistividade > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF on-line fabricante

Substrato monocristal de GaN monocristal do tipo SI dopado com face C de 2 polegadas Resistividade > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF
Contato

2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices Overview Gallium Nitride (GaN) epitaxial wafers (epi-wafers). GaN high-electron-mobility transistors ... Leia mais
2025-04-04 22:43:44
Comprar o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI on-line fabricante

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI
Contato

2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices The growth characteristics of Fe-doped GaN epitaxial layers on semi-insulating SiC (001) substrates ... Leia mais
2024-10-14 17:06:30
Comprar Tipo 6inch 4H do SI do nível P que isola sic semi a carcaça 150mm on-line fabricante

Tipo 6inch 4H do SI do nível P que isola sic semi a carcaça 150mm
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P-Level SI-Type 6inch 4H-SiC Semi insulating substrate 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity≥1E9Ω·cm 6inch 4H-SiC substrate P-level SI-Type 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity≥1E9Ω·cm for power and microwave ... Leia mais
2022-10-24 10:21:46
Comprar Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate on-line fabricante

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
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M Face Free-Standing GaN Substrates Front Surface Roughness < 0.2 Nm (Polished) Or < 0.3 nm 5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser ... Leia mais
2022-10-08 17:19:48
Comprar Face SP 5 X 10mm2 Nitreto de Gálio Substrato 350um on-line fabricante

Face SP 5 X 10mm2 Nitreto de Gálio Substrato 350um
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5 x 10mm2 Free-standing GaN Substrates 350 ±25 µm From 1 x 105 to 3 x 106 cm-2 5*10mm2 SP-face (20-21)/(20-2-1) Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices ... Leia mais
2022-10-08 16:41:01
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GaN Epitaxial Wafer

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Bolacha sic Epitaxial

Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um

Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um

Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara

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