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n type sic crystal fabricação online

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Comprar 0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm cristal de carboneto de silício tipo N on-line fabricante

0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm cristal de carboneto de silício tipo N
Contato

0.015~0.028ohm.Cm SiC Seed Crystal 4" P Grade N-Type Orientation 4.0°±0.2° SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC CRYSTAL is an ultra-high purity silicon carbide grain or powder, specially manufactured to achieve ... Leia mais
2022-09-27 17:01:16
Comprar bolacha 6inch sic Epitaxial on-line fabricante

bolacha 6inch sic Epitaxial
Contato

P-SBD Grade 6inch 4H-SiC substrate N-Type Off-Axis:4°toward ±0.5 ° 6inch 4H-SiC Substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μM MPD≤0.5/Cm2 Resistivity 0.015Ω•Cm—0.025Ω•cm For Power And Microw 6inch 4H-SiC substrate ... Leia mais
2022-10-09 16:56:20
Comprar 47,5 milímetros de ± bolacha sic Epitaxial 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° paralelo de 1,5 milímetros on-line fabricante

47,5 milímetros de ± bolacha sic Epitaxial 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° paralelo de 1,5 milímetros
Contato

47.5 mm ± 1.5 mm SiC Epitaxial Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm Parallel to±1° JDCD03-001-003 Overview Currently, there are two main types of SiC wafers. The first type is the polished wafer, which is a single ... Leia mais
2024-10-29 11:49:58
Comprar Sic cristal 4&quot; do lingote JDZJ01-001-002 categoria de D on-line fabricante

Sic cristal 4" do lingote JDZJ01-001-002 categoria de D
Contato

SiC ingot crystal 4" P grade SiC devices can operate at high frequencies (RF and microwave) because of the high saturated electron drift velocity of SiC. SiC is an excellent thermal conductor. Heat will flow ... Leia mais
2025-04-04 22:43:20
Comprar Resistividade de cristal de carboneto de silício de grau P de 4&quot; 0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm on-line fabricante

Resistividade de cristal de carboneto de silício de grau P de 4" 0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm
Contato

4" P Grade SiC Seed Crystal Resistivity 0.015~0.028ohm.Cm 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC is an excellent thermal conductor. Heat will flow more readily through SiC than other semiconductor ... Leia mais
2022-09-27 17:35:24
Comprar Substrato 4H-SiC de 4 polegadas Nível P Tipo N 350,0±25,0μM MPD≤0,5/Cm2 Resistividade 0,015Ω•Cm—0,025Ω•Cm on-line fabricante

Substrato 4H-SiC de 4 polegadas Nível P Tipo N 350,0±25,0μM MPD≤0,5/Cm2 Resistividade 0,015Ω•Cm—0,025Ω•Cm
Contato

4inch 4H-SiC substrate D-level N-Type 350.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview High Temperature Devices Because SiC has a high thermal conductivity, SiC ... Leia mais
2025-04-04 22:43:25
Comprar cristal 4&quot; do carboneto de silicone de 100.0mm categoria 18.0mm de P on-line fabricante

cristal 4" do carboneto de silicone de 100.0mm categoria 18.0mm de P
Contato

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 0.015~0.028ohm.cm 18.0mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade Electronic devices formed in SiC can operate at extremely high temperatures without suffering from intrinsic ... Leia mais
2022-09-27 17:01:26
Comprar JDZJ01-001-004 SiC Cristal de Lingote 6&quot; grau P on-line fabricante

JDZJ01-001-004 SiC Cristal de Lingote 6" grau P
Contato

SiC ingot crystal 6" Pgrade Silicon carbide, exceedingly hard, synthetically produced crystalline compound of silicon and carbon. Its chemical formula is SiC. Since the late 19th century silicon carbide has ... Leia mais
2025-04-04 22:42:33
Comprar Cristal liso preliminar 4&quot; do carboneto de silicone do comprimento 32.5mm categoria 100.0mm de P on-line fabricante

Cristal liso preliminar 4" do carboneto de silicone do comprimento 32.5mm categoria 100.0mm de P
Contato

Primary Flat Lengh 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 100.0mm±0.5mm 0.015~0.028ohm.cm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than ... Leia mais
2022-09-27 17:01:05
Comprar cristal 4&quot; do carboneto de silicone de 100.0mm categoria Politype 4H de P on-line fabricante

cristal 4" do carboneto de silicone de 100.0mm categoria Politype 4H de P
Contato

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 4.0°±0.2° Politype 4H SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than Si or GaAs without ... Leia mais
2022-10-09 10:12:00
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GaN Epitaxial Wafer

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

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Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um

Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um

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