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Detalhes do produto:
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| Nome do produto: | Wafer GaAs-Si | Método do crescimento: | VGF |
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| Tipo de Conduta: | S-C-N | Orientação: | (100) 15°±0,5° Fora na direção<111>A |
| Ângulo de Orientação: | 180° | DE Orientação: | EJ[0-1-1]±0,5° |
| DE Comprimento (mm): | 17±1 | SE Comprimento (mm): | 7±1 |
Substratos dopados com Zn GaAs(111) de 2 polegadas
Visão geral
Os cristais GaAs podem ser criados através de três métodos diferentes.Um dos métodos mais comuns é o processo de congelamento de gradiente vertical, que envolve o crescimento de cristais e seu corte, seguido de arredondamento de borda e polimento em wafers.Outro método é a técnica de Bridgman-Stockbarger.
| Bolacha GaAs-Zn | |
| Método de Crescimento | VGF |
| Tipo de Conduta | SCN |
| dopante | GaAs-Zn |
| Orientação | (100) 15°±0,5° Desligado em direção <111>A |
| Ângulo de Orientação | 180° |
| DE Orientação | EJ[0-1-1]±0,5° |
| DE Comprimento (mm) | 17±1 |
| Orientação IF | EJ[0-11]±0,5° |
| SE Comprimento (mm) | 7±1 |
| Diâmetro (mm) | 50,8±0,2 |
| CC(/cc) | 0.2E19~4.0E19 |
| Resistividade (ohm.cm) | N / D |
| Mobilidade(cm2/vs) | ≥1000 |
| DEP (/cm2) | ≤5000 |
| Espessura (um) | 350±25 |
| TTV(um) | <10 |
| TTR(um) | <10 |
| arco (um) | <15 |
| Warp(um) | <15 |
| Superfície | Lado 1: Polido Lado 2: Gravado |
| Epi-Ready | Sim |
| Embalagem | Cassete |
Sobre nós
Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.
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