Enviar mensagem
Pedir um orçamento |
Casa Produtossilicon carbide crystal 4h fabricante online
Todos os Produtos

GaN Epitaxial Wafer

(61)

Bolacha sic Epitaxial

(28)

GaAs Epi Wafer

(15)

Substratos de Diamante CVD

(15)

Sistema de recozimento térmico rápido

(2)

Testador de Sensor de Efeito Hall

(3)

Bolacha do nitreto de alumínio

(21)

Microplaqueta do diodo láser

(10)

Cristal do carboneto de silicone

(12)

Bolacha Ga2O3

(13)

bolacha de silicone

(26)

Sapphire Wafer

(19)

Sapphire Substrates modelada

(10)

Suporte da bolacha do

(1)

Máquina de cortar bolacha

(5)
Certificado
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificações
Estou Chat Online Agora

silicon carbide crystal 4h fabricação online

(28)
comprar 4H bolacha sic Epitaxial ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm on-line fabricante

4H bolacha sic Epitaxial ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm
Contato

Leia mais
2023-02-17 15:17:12
comprar Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara on-line fabricante

Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara
Contato

Leia mais
2022-10-24 10:26:24
comprar 4H bolacha sic Epitaxial 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm do Cm ≤4000/cm on-line fabricante

4H bolacha sic Epitaxial 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm do Cm ≤4000/cm
Contato

Leia mais
2023-02-17 15:19:25
comprar 6 polegadas Tipo N Wafer P MOS Grau 4H SiC Substrato 350,0 ± 25,0um on-line fabricante

6 polegadas Tipo N Wafer P MOS Grau 4H SiC Substrato 350,0 ± 25,0um
Contato

Leia mais
2022-10-24 10:21:10
comprar Substrato 350um 4H SiC on-line fabricante

Substrato 350um 4H SiC
Contato

Leia mais
2022-10-09 16:57:57
comprar bolacha sic Epitaxial de 150.0mm +0mm/-0.2mm nenhum plano secundário 3mm on-line fabricante

bolacha sic Epitaxial de 150.0mm +0mm/-0.2mm nenhum plano secundário 3mm
Contato

Leia mais
2023-02-17 15:10:26
comprar 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm SiC Epitaxial Wafer 47,5 mm ± 1,5 mm on-line fabricante

150,0 mm +0 mm/-0,2 mm SiC Epitaxial Wafer 47,5 mm ± 1,5 mm
Contato

Leia mais
2022-10-24 10:23:40
comprar Substrato de SiC nível P de 2 polegadas para dispositivos de energia e dispositivos de microondas on-line fabricante

Substrato de SiC nível P de 2 polegadas para dispositivos de energia e dispositivos de microondas
Contato

Leia mais
2023-02-17 15:30:04
comprar 47,5 milímetros de ± bolacha sic Epitaxial 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° paralelo de 1,5 milímetros on-line fabricante

47,5 milímetros de ± bolacha sic Epitaxial 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° paralelo de 1,5 milímetros
Contato

Leia mais
2023-02-17 15:11:59
comprar bolacha 6inch sic Epitaxial on-line fabricante

bolacha 6inch sic Epitaxial
Contato

Leia mais
2022-10-09 16:56:20
Page 2 of 3|< 1 2 3 >|
sobre

GaN Epitaxial Wafer

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Bolacha sic Epitaxial

Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um

Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um

Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara

Deixe mensagem

Política de Privacidade | CHINA bom qualidade GaN Epitaxial Wafer fornecedor. © 2023 - 2024 epi-wafers.com. All Rights Reserved.