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Sic o cristal de semente JDZJ01-001-006 S classifica 6" a categoria φ153±0.5mm de S

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Sic o cristal de semente JDZJ01-001-006 S classifica 6" a categoria φ153±0.5mm de S

Sic o cristal de semente JDZJ01-001-006 S classifica 6" a categoria φ153±0.5mm de S
Sic o cristal de semente JDZJ01-001-006 S classifica 6" a categoria φ153±0.5mm de S

Imagem Grande :  Sic o cristal de semente JDZJ01-001-006 S classifica 6" a categoria φ153±0.5mm de S

Detalhes do produto:
Número do modelo: JDZJ01-001-006
Condições de Pagamento e Envio:
Detalhes da embalagem: Embalado em uma sala limpa em um único recipiente de sementes
Tempo de entrega: 3-4 dias da semana

Sic o cristal de semente JDZJ01-001-006 S classifica 6" a categoria φ153±0.5mm de S

descrição
Urdidura (μm): ≤50μm Diâmetro: 153±0,5mm
Comprimento da aresta de posicionamento principal: 8,0±2,0 Espessura: 500±50mm
Curva: ≤50μm Único diâmetro de cristal da zona (milímetros): ≥150MM

Sic categoria 6" do cristal de semente S categoria φ153±0.5mm de S

Sic pode suportar um inclinação da tensão (ou o campo elétrico) sobre oito vezes maior do que do que o si ou o GaAs sem submeter-se à divisão de avalancha. Este campo elétrico da divisão alta permite a fabricação de dispositivos muito de alta tensão, de alta potência tais como diodos, de transitors do poder, de tiristores e de proteções contra sobrecarga do poder, assim como de dispositivos da micro-ondas do poder superior. Adicionalmente, permite que os dispositivos sejam colocados muito perto junto, fornecendo a densidade de embalagem alta do dispositivo para circuitos integrados.

Categoria Nível S Nível S
Especificações do cristal de semente 6" sic 6" sic
Diâmetro (milímetros) 153±0.5 155±0.5
Espessura (μm) 500±50 500±50
Curva (μm) ≤50 ≤50
Urdidura (μm) ≤50 ≤50
Orientação de cristal 4°off-axis toward±0.5°<11-20> 4°off-axis toward±0.5°<11-20>
Comprimento de posicionamento principal da borda 18.0±2.0 18.0±2.0
Comprimento do dege de Subposition 8.0±2.0 8.0±2.0
Posicionando o sentido da borda

Cara do si: gire no sentido horário ao longo do lado de posicionamento principal: 90°±5°

Cara de C: gire no sentido anti-horário ao longo do lado de posicionamento principal: 90°±5°

Cara do si: gire no sentido horário ao longo do lado de posicionamento principal: 90°±5°

Cara de C: gire no sentido anti-horário ao longo do lado de posicionamento principal: 90°±5°

Resistividade 0.01~0.04Ω·cm 0.01~0.04Ω·cm
Aspereza de superfície DSP, cara Ra≤1.0nm de C DSP, cara Ra≤1.0nm de C
Único diâmetro de cristal da zona (milímetros) ≥150mm ≥152mm
Densidade do Microtubule ≤0.5/cm2 ≤0.5/cm2
Lado do colapso ≤2mm ≤2mm
Método de empacotamento Única embalagem da parte Única embalagem da parte
Observação: A única zona de cristal refere a área sem quebra e polytype.

Sobre nós

Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.

FAQ

Q: São você empresa comercial ou o fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?
Geralmente é 3-5 dias se os bens estão no estoque.
ou é 7-10 dias se os bens não estão no estoque, ele é de acordo com a quantidade.
Q: Você fornece amostras? são livre ou extra?
Sim, nós poderíamos oferecer a amostra para a carga livre mas não pagamos o custo do frete.
Q: Que é seus termos de pagamento?
Pagamento <> >=5000USD do pagamento, 80% T/T adiantado, equilíbrio antes da expedição.

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Xiwen Bai (Ciel)

Telefone: +8613372109561

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