Detalhes do produto:
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Nome do produto: | Bolacha sic Epitaxial | Diâmetro: | 100,0 mm+0,0/-0,5 mm |
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Orientação de superfície: | {0001}±0,2° | Comprimento da aresta de referência principal: | 32,5 mm ± 2,0 mm |
A borda da bolacha: | ângulo de chanfro | Espessura: | 500,0±25,0μm |
SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity≥1E5Ω do nível P da carcaça de JDCD03-002-002 4inch 4H-SiC·cm para dispositivos do poder e da micro-ondas
Vista geral
É usado sic para a fabricação de dispositivos muito de alta tensão e de alta potência tais como diodos, transistor de poder, e dispositivos da micro-ondas do poder superior. Comparado aos Si-dispositivos convencionais, os dispositivos de poder SIC-baseados têm tensões mais rápidas da velocidade de comutação umas mais altas, umas mais baixas resistências parasíticas, tamanho menor, refrigerando menos exigido devido à capacidade de alta temperatura.
carcaça deisolamento de 4inch 4H-SiC |
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Desempenho de produto | Nível P | Nível de D | |
Formulário de cristal | 4H | ||
Politípico | Para não reservar | Area≤5% | |
Micropipe Densitya | ≤0.3/cm2 | ≤5/cm2 | |
Seis quadrados esvaziam | Para não reservar | Area≤5% | |
Cristal híbrido de superfície do hexágono | Para não reservar | Area≤5% | |
wrappage a | Area≤0.05% | N/A | |
Resistividade | ≥1E9Ω·cm | ≥1E5Ω·cm | |
(0004) larguras da altura de XRDHalf da curva de balanço (FWHM) |
≤45Arcsecond |
N/A |
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Diâmetro | 100.0mm+0.0/-0.5mm | ||
Orientação de superfície | {0001} ±0.2° | ||
Comprimento da borda de referência principal |
32,5 milímetros de ± 2,0 milímetros
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Comprimento da borda de referência secundária | 18,0 milímetros de ± 2,0 milímetros | ||
Orientação principal do plano de referência | ±<11-20> paralelo 5.0˚ | ||
Orientação secundária do plano de referência | 90 ° sentido horário ao ˚ principal do ± 5,0 do ˚ do plano de referência, si de face para cima | ||
preparação de superfície | C-cara: Espelho que lustra, Si-cara: Polonês mecânico químico (CMP) | ||
A borda da bolacha | ângulo da chanfradura | ||
Aspereza de superfície (5μm×5μm)
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Cara Ra<0.2 nanômetro do si
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espessura |
500.0±25.0μm
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LTV (10mm×10mm) a |
≤2µm
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≤3µm
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TTVa |
≤6µm
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≤10µm
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Bowa |
≤15µm
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≤30µm
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Warpa |
≤25µm
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≤45µm
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Borda/diferença quebradas | As bordas do colapso de um comprimento e de uma largura de 0.5mm não são permitidas | ≤2 e cada comprimento e largura de 1.0mm | |
scratcha | ≤4, e o comprimento total são 0,5 vezes o diâmetro | ≤5, e o comprimento total são 1,5 vezes o diâmetro | |
falha | para não reservar | ||
poluição | para não reservar | ||
Remoção da borda |
3mm |
Observação: a exclusão da borda de 3mm é usada para os artigos identificados por meio de A.
Sobre nós
Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.
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Q: São você empresa comercial ou o fabricante?
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Q: Que é seus termos de pagamento?
Pagamento <>
>=5000USD do pagamento, 80% T/T adiantado, equilíbrio antes da expedição.
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