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Face SP 5 X 10mm2 Nitreto de Gálio Substrato 350um
Contato

Tipo N 6 polegadas 4H Substrato de carboneto de silício Comprimento plano primário 47,5 mm
Contato

Tipo 6inch 4H do SI do nível P que isola sic semi a carcaça 150mm
Contato

GaN Epitaxial Wafer

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Bolacha sic Epitaxial

Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um

Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um

Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara