Corrente Limiar 0,5A Laser Diodo Chip Eficiência de Conversão de Energia 58%

Corrente Limiar 0,5A Laser Diodo Chip Eficiência de Conversão de Energia 58%

Chip laser de diodo COS 915nm 10W em design de submontagem

A integração no chip de diodos laser e fotodetectores com guias de ondas de nanofios de silício é demonstrada.Através da ligação flip-chip de diodos de laser GaInNAs/GaAs diretamente no substrato de silício, a dissipação de calor eficiente foi realizada e temperaturas características de até 132K foram alcançadas.Foram utilizados conversores de tamanho de ponto para o acoplamento laser-guia de onda, com eficiências superiores a 60%.

Os fotodetectores foram fabricados pela ligação de wafers de InGaAs/InP diretamente a guias de ondas de silício e formação de estruturas metal-semicondutor-metal, fornecendo responsividades de até 0,74 A/W.Tanto o diodo laser quanto o fotodetector foram integrados com um único guia de onda de silício para demonstrar um link de transmissão óptica completo no chip.