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semiconductor diode laser chip fabricação online

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Comprar Chip semicondutor de diodo laser de impressão a laser 1,0 W/A Tamanho do emissor 94 μm Comprimento de onda 915 nm on-line fabricante

Chip semicondutor de diodo laser de impressão a laser 1,0 W/A Tamanho do emissor 94 μm Comprimento de onda 915 nm
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Laser Printing Laser Diode Chip 1.0W/A Emitter Size 94μm Wavelength 915nm 915nm 10W COS Diode Laser Chip On Submount Design Chip on Submount COS Laser Diode employing AuSn bonding and P Down package with ... Leia mais
2022-09-22 15:10:25
Comprar Corrente Limiar 0,5A Laser Diodo Chip Eficiência de Conversão de Energia 58% on-line fabricante

Corrente Limiar 0,5A Laser Diodo Chip Eficiência de Conversão de Energia 58%
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Threshold Current 0.5A Laser Diode Chip Power Conversion Efficiency 58% 915nm 10W COS Diode Laser Chip On Submount Design On-chip integration of laser diodes and photodetectors with silicon nanowire waveguides ... Leia mais
2022-09-22 15:12:40
Comprar Limite de corrente 0,5A Chip de diodo laser Eficiência de inclinação de impressão a laser 1,0 W/A on-line fabricante

Limite de corrente 0,5A Chip de diodo laser Eficiência de inclinação de impressão a laser 1,0 W/A
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Threshold Current 0.5A Laser Diode Chip Laser Printing Slope Efficiency 1.0W/A 915nm 10W COS Diode Laser Chip On Submount Design The light source is integrated by flip-chip bonding directly onto the Si ... Leia mais
2022-09-22 15:13:34
Comprar Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2 on-line fabricante

Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
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Thk 430μm Sapphire Substrate Wafer Crystal Orientation C/M0.2, OF Length (Mm) 16 LED Chip JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 LED ... Leia mais
2023-02-17 10:18:05
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sobre

GaN Epitaxial Wafer

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Bolacha sic Epitaxial

Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um

Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um

Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara

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