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ga2o3 substrate single crystal fabricação online

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Comprar 0.6mm 0.8mm Ga2O3 único Crystal Substrate Single Polishing on-line fabricante

0.6mm 0.8mm Ga2O3 único Crystal Substrate Single Polishing
Contato

10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Leia mais
2024-10-29 11:49:58
Comprar 10x15mm2 UID dopado livre Wafer Ga2O3 polimento único on-line fabricante

10x15mm2 UID dopado livre Wafer Ga2O3 polimento único
Contato

JDCD04-001-005 10x15mm2(-201)UID-Doped Free-Standing Ga2O3 Single Crystal Substrate Product Grade Single Polishing 10x15mm2(-201)UID-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single ... Leia mais
2022-09-27 16:57:32
Comprar bolacha Ga2O3 10x15mm único Crystal Substrate de 10x10mm on-line fabricante

bolacha Ga2O3 10x15mm único Crystal Substrate de 10x10mm
Contato

10x15mm2(-201)UID-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.5nm Resistance 4.13E+17Ω/cm-3 Optoelectronic devices, insulating ... Leia mais
2022-09-27 16:57:06
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sobre

GaN Epitaxial Wafer

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Bolacha sic Epitaxial

Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um

Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um

Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara

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